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首頁(yè) KDS晶振

智能手機(jī)晶振,1XXD16368MGA,溫補(bǔ)晶振,2016進(jìn)口貼片,DSB211SDN

智能手機(jī)晶振,1XXD16368MGA,溫補(bǔ)晶振,2016進(jìn)口貼片,DSB211SDN智能手機(jī)晶振,1XXD16368MGA,溫補(bǔ)晶振,2016進(jìn)口貼片,DSB211SDN

產(chǎn)品簡(jiǎn)介

貼片石英晶體體積小、焊接可采用自動(dòng)貼片系統(tǒng),產(chǎn)品本身小型,表面貼片晶振,特別適用于有小型化要求的電子數(shù)碼產(chǎn)品市場(chǎng)領(lǐng)域。DSB211SDN晶振為2016進(jìn)口貼片,是日本KDS大真空生產(chǎn)一款小體積的溫補(bǔ)晶振。編碼1XXD16368MGA的晶振頻率為16.368MHz,支持低電壓,低相位噪音,單體結(jié)構(gòu),多用于手機(jī)、GPS/GNSS、工業(yè)用無線通信設(shè)備等,也叫智能手機(jī)晶振,TCXO振蕩器,石英晶體振蕩器,日本進(jìn)口晶振。

產(chǎn)品詳情

KDS-1

JLX-1

智能手機(jī)晶振,1XXD16368MGA,溫補(bǔ)晶振,2016進(jìn)口貼片,DSB211SDN

貼片石英晶體體積小、焊接可采用自動(dòng)貼片系統(tǒng),產(chǎn)品本身小型,表面貼片晶振,特別適用于有小型化要求的電子數(shù)碼產(chǎn)品市場(chǎng)領(lǐng)域,因產(chǎn)品小型。薄型優(yōu)勢(shì),耐環(huán)境特性,包括耐高溫。耐沖擊性等,在移動(dòng)通信領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用,晶振產(chǎn)品本身可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求。

DSB211SDN晶振為2016進(jìn)口貼片,是日本大真空晶振生產(chǎn)一款小體積的溫補(bǔ)晶振。編碼1XXD16368MGA的晶振頻率為16.368MHz,支持低電壓,低相位噪音,單體結(jié)構(gòu),多用于手機(jī)、GPS/GNSS、工業(yè)用無線通信設(shè)備等,也叫智能手機(jī)晶振,TCXO晶振,石英晶體振蕩器,日本進(jìn)口晶振。

KDS-2

JLX-2

智能手機(jī)晶振,1XXD16368MGA,溫補(bǔ)晶振,2016進(jìn)口貼片,DSB211SDN

類型 DSB211SDN (TCXO)
頻率范圍 12.288?52MHz
標(biāo)準(zhǔn)頻率 16.3676MHz/16.367667MHz/16.368MHz/16.369MHz/16.8MHz/26MHz/33.6MHz
電源電壓范圍 +1.68 to +3.5V
電源電壓 (VCC) +1.8V / +2.6V / +2.8V / +3.0V / +3.3V
電流消耗 +1.5mA max. (f≦26MHz) / +2.0mA max. (26
輸出電平 0.8Vp-p min. (f≦52MHz) (Clipped Sinewave/DC-coupled)
輸出負(fù)載 10kΩ//10pF
頻率穩(wěn)定性
±0.5×10-6,±2.5×10-6 以下 / -30 至 +85°C
±0.5×10-6,±2.5×10-6 以下 / -40 至 +85°C
啟動(dòng)時(shí)間 最大 2.0ms
包裝單位 3000 個(gè)/卷 (Φ180)

DSA1612SDN DSA211SDN DSA221SDN DSA321SDN DSB1612SDN DSB211SDN DSB221SDN DSB321SDN

RB-1

JLX-3智能手機(jī)晶振,1XXD16368MGA,溫補(bǔ)晶振,2016進(jìn)口貼片,DSB211SDN

DSB211SDN

RB-4

JLX-4智能手機(jī)晶振,1XXD16368MGA,溫補(bǔ)晶振,2016進(jìn)口貼片,DSB211SDN

所有產(chǎn)品的共同點(diǎn)
1、抗沖擊
晶體產(chǎn)品可能會(huì)在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落或在貼裝過程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過沖擊請(qǐng)勿使用。
2、輻射
暴露于輻射環(huán)境會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害,因此應(yīng)避免照射。
3、化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境
請(qǐng)勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解產(chǎn)品或包裝材料的環(huán)境下使用或儲(chǔ)藏這些產(chǎn)品。
4、粘合劑
請(qǐng)勿使用可能導(dǎo)致產(chǎn)品所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。
5、鹵化合物
請(qǐng)勿在鹵素氣體環(huán)境下使用產(chǎn)品。即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕。同時(shí),請(qǐng)勿使用任何會(huì)釋放出鹵素氣體的樹脂。
6、靜電
過高的靜電可能會(huì)損壞產(chǎn)品,請(qǐng)注意抗靜電條件。請(qǐng)為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料。在處理的時(shí)候,請(qǐng)使用電焊槍和無高電壓泄漏的測(cè)量電路,并進(jìn)行接地操作。


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