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首頁 石英晶振

石英晶振,手表晶振,3*8晶振

石英晶振,手表晶振,3*8晶振石英晶振,手表晶振,3*8晶振

產(chǎn)品簡介

引腳焊接型石英晶體元件.工廠倉庫長時間大量庫存常用頻點,高精度的頻率和晶振本身更低的等效串聯(lián)電阻.常用負載電容,因插件型鏡頭成本更低和更高的批量生產(chǎn)能力.主要應(yīng)用于電視,機頂盒,LCDM和游戲機家用常規(guī)電器數(shù)碼產(chǎn)品等的最佳選擇.符合RoHS/無鉛.

產(chǎn)品詳情

我司金洛鑫電子,力求晶益求精,從而我司所有生產(chǎn)的晶振都必須經(jīng)過30幾道工序才能完成出廠,以下9大項是成品檢測的國際標準.人工培植石英晶體,在經(jīng)過高壓釜人工種植石英晶棒,取出晶棒,首先對晶棒定向,在對晶棒切割,在把切割下來的晶片定向,在對石英晶片的厚度分選,對晶片的粗磨,在對晶片的中磨,在精細磨,對晶片改園,切割磨邊,滾筒道邊,對晶片腐蝕,在對晶片頻率分選,早期晶片頻率分選都是靠人工,現(xiàn)在都是投入機器自動分選了,經(jīng)過這么多道復雜的工序,這樣晶片的制作算是全部完成了.
產(chǎn)品廣泛用于移動通訊機,數(shù)字電視,計算機周邊產(chǎn)品,數(shù)碼產(chǎn)品,GPS,通信基站。。。等高科技產(chǎn)品。其中我司的SMD陶瓷中頻濾波器,SMD陶瓷諧振器等晶振,在通訊機和高檔次游戲機上使用時與日本村田(MURATA)公司性能兼容,體積小,高性能,超薄型。十幾年來,一直是各大用戶心目中的優(yōu)選產(chǎn)品,口碑與實力并存。并且還代理了日本、臺灣等多家世界知名品牌晶振,訂購進口晶振三天打樣,七天準時交貨。
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石英晶振,手表晶振,3*8晶振.插件石英晶振最適合用于比較低端的電子產(chǎn)品,比如兒童玩具,普通家用電器,即使在汽車電子領(lǐng)域中也能使產(chǎn)品高可靠性的使用.并且可用于安全控制裝置的CPU時鐘信號發(fā)生源部分,好比時鐘單片機上的石英晶振,在極端嚴酷的環(huán)境條件下,晶振也能正常工作.
石英晶振的切型。采用高速線切割技術(shù):1.優(yōu)化及嚴格規(guī)范線切割機各項設(shè)備參數(shù);2.通過試驗精選所使用的各類線切割料,如:磨料、線切割線、槽輪等;3.確認最優(yōu)的石英晶振切割工藝參數(shù)。通過以上方法使切割出的貼片晶振晶片在厚度一致性、平行度、表面粗糙度上都超越其它切割方式,提高了時鐘晶振晶片的精度,提高了生產(chǎn)效率。圓柱石英晶體諧振器,無源音叉晶體,3*8晶振

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石英晶振

標示

3*8晶振

基本信息對照表

crystal標準頻率

f_nom

32.768KHz

標準頻率

儲存溫度

T_stg

-20°C~+70°C

裸存

工作溫度

T_use

-10°C~+60°C

晶振標準溫度

激勵功率

DL

1.0μW Max.

推薦:1μW100μW

頻率公差

f_— l

±20× 10-6(標準)

+25°C對于超出標準的規(guī)格說明

頻率溫度特征

f_tem

±20× 10-6/-10°C ~+60°C

超出標準的規(guī)格請聯(lián)系金洛鑫電子.

負載電容

CL

12.5pF

超出標準說明,請聯(lián)系金洛鑫電子.

串聯(lián)電阻(ESR

R1

如下表所示

-10°C ~+60°C,DL = 100μW

頻率老化

f_age

±3× 10-6/ year Max.

+25°C,第一年

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RB-3

32.768K

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超聲波清洗
(1)使用AT-切割晶體和表面聲波(SAW)諧振器/聲表面濾波器的產(chǎn)品,可以通過超聲波進行清洗。但是,在某些條件下, 晶體特性可能會受到影響,而且內(nèi)部線路可能受到損壞。確保已事先檢查系統(tǒng)的適用性。
(2)使用音叉晶體和陀螺儀傳感器的產(chǎn)品無法確保能夠通過超聲波方法進行清洗,因為晶體可能受到破壞。圓柱石英晶體諧振器,無源音叉晶體,3*8晶振
(3)請勿清洗開啟式產(chǎn)品
(4)對于可清洗產(chǎn)品,應(yīng)避免使用可能對石英水晶諧振器產(chǎn)生負面影響的清洗劑或溶劑等。
(5)焊料助焊劑的殘留會吸收水分并凝固。這會引起諸如位移等其它現(xiàn)象。這將會負面影響晶振的可靠性和質(zhì)量。請清理殘余的助焊劑并烘干PCB。
操作
請勿用鑷子或任何堅硬的工具,夾具直接接觸IC的表面。石英晶振,手表晶振,3*8晶振
使用環(huán)境(溫度和濕度)
請在規(guī)定的溫度范圍內(nèi)使用音叉晶體。這個溫度涉及本體的和季節(jié)變化的溫度。在高濕環(huán)境下,會由于凝露引起故障。請避免凝露的產(chǎn)生。

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設(shè)計振蕩回路的注意事項
1.驅(qū)動能力
驅(qū)動能力說明3*8mm晶振所需電功率,其計算公式如下:
驅(qū)動能力 (P) = i2_Re
其中i表示經(jīng)過晶體單元的電流,
Re表示晶體單元的有效電阻,而且 Re=R1(1+Co/CL)2。石英晶振,手表晶振,3*8晶振

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2.振蕩補償
除非在圓柱型音叉石英晶體振蕩電路中提供足夠的負極電阻,否則會增加振蕩啟動時間,或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生,請在電路設(shè)計時提供足夠的負極電阻。

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3.負載電容
如果振蕩電路中負載電容的不同,可能導致智能手表晶體振蕩頻率與設(shè)計頻率之間產(chǎn)生偏差,如下圖所示。電路中的負載電容的近似表達式 CL≒CG × CD / (CG+CD) + CS。
其中CS表示電路的雜散電容。圓柱石英晶體諧振器,無源音叉晶體,3*8晶振

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頻率和負載電容特征圖器

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振蕩回路參數(shù)設(shè)置參考

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