自1991年以來，AEL晶振有限公司已發(fā)展成為歐洲領(lǐng)先的頻率控制組件供應(yīng)商之一。我們的成功基于扎實(shí)的工程知識(shí)基礎(chǔ)，同時(shí)也為我們的客戶提供高效的總體供應(yīng)鏈管理服務(wù)。無論您身在何處，無論您是在英國設(shè)有研發(fā)機(jī)構(gòu)還是在遠(yuǎn)東地區(qū)生產(chǎn)，您都可以確信AEL將始終以具有全球競爭力的價(jià)格為您提供始終如一的質(zhì)量和可靠的服務(wù)。
我們的無源晶振產(chǎn)品在機(jī)頂盒，安防產(chǎn)品，汽車產(chǎn)品和移動(dòng)和地面通信等多種應(yīng)用領(lǐng)域獲得了全球的普遍認(rèn)可。我們每周運(yùn)送數(shù)百萬單位到從墨西哥到中國的目的地。隨著頻率控制領(lǐng)域的許多新型創(chuàng)新產(chǎn)品的開發(fā)，我們能夠?yàn)榻裉斓碾娮庸こ處熖峁┰陬l率產(chǎn)生領(lǐng)域更大程度的靈活性的自由。
AEL晶振,貼片晶振,60639晶振,進(jìn)口晶振,貼片石英晶振最適合用于車載電子領(lǐng)域的小型表面貼片石英晶體諧振器.也可對應(yīng)有高可靠性要求的引擎控制用CPU的時(shí)鐘部分簡稱為時(shí)鐘晶體振蕩器,在極端嚴(yán)酷的環(huán)境條件下也能發(fā)揮穩(wěn)定的起振特性,產(chǎn)品本身具有耐熱,耐振,耐撞擊等優(yōu)良的耐環(huán)境特性,滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求,符合AEC-Q200標(biāo)準(zhǔn).
石英晶振真空退火技術(shù)：晶振高真空退火處理是消除貼片晶振在加工過程中產(chǎn)生的應(yīng)力及輕微表面缺陷。在PLC控制程序中輸入已設(shè)計(jì)好的溫度曲線，使真空室溫度跟隨設(shè)定曲線對晶體組件進(jìn)行退火，石英晶振通過合理的真空退火技術(shù)可提高晶振主要參數(shù)的穩(wěn)定性，以及提高石英晶振的年老化特性。
|
AEL晶振 |
單位 |
60639晶振 |
石英晶振基本條件 |
|
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
f_nom |
3.5~70MHZ |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
|
儲(chǔ)存溫度 |
T_stg |
-55°C~+125°C |
裸存 |
|
工作溫度 |
T_use |
-40°C~+85°C |
標(biāo)準(zhǔn)溫度 |
|
激勵(lì)功率 |
DL |
100μW Max. |
推薦:100μW |
|
頻率公差 |
f_— l |
±50× 10-6 |
+25°C對于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, |
|
頻率溫度特征 |
f_tem |
±50× 10-6/-30°C~+85°C |
超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請聯(lián)系我們. |
|
負(fù)載電容 |
CL |
30PF |
不同負(fù)載電容要求,請聯(lián)系我們. |
|
串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C~+85°C,DL = 100μW |
|
頻率老化 |
f_age |
±5× 10-6/year Max. |
+25°C,第一年 |
我們可以改善的頻率輸出的偏差超過范圍由以下幾個(gè)方法：調(diào)整外部電容，Cd和CG的值。 如果由頻率計(jì)數(shù)器測量頻率比目標(biāo)頻率高，要增加外部電容CL（或Cd以及C 8的值），以降低頻率到我們的目標(biāo)頻率，反之亦然?？梢圆捎貌煌?fù)載電容（CL）的晶振試用。 試用石英貼片晶振具有較低電容若頻率比目標(biāo)頻率超高很多的話。請檢查波形幅度是否是正?；虿皇褂檬静ㄆ?，正確的電容是通過和頻率調(diào)節(jié)到目標(biāo)之后。根據(jù)該波形振幅收縮，由于增加外部電容，請使用方法2調(diào)整頻率（較低的外部電容，并采用低電容的晶體）的情況。頻率輸出頻率的目標(biāo)只有三分之一。下面的曲線表示晶體的電阻的特征：AEL晶振,貼片晶振,60639晶振,進(jìn)口晶振
晶振具有多種振動(dòng)模式，如基頻， 3次泛音，5次泛音等等。當(dāng)基頻模式應(yīng)用時(shí)，陶瓷面晶振的電阻是最低的，這意味著它是最簡單的石英晶體振蕩器。當(dāng)?shù)谌{(diào)模式被應(yīng)用，一個(gè)放大電路必須被利用以降低基本模式的頻率反饋到所述延伸小于所述第三音調(diào)模式。因此，如果頻率是只有三分之一的目標(biāo)頻率時(shí)，要檢查是否放大處理電路被施加或它的設(shè)定值就足夠了，因?yàn)殡娐返沫h(huán)境適合于基本模式，而不是第三次泛音調(diào)模式。該電路可能不振蕩，如果放大電路不施加或它的設(shè)定值是不足夠的。4-3。基頻模式與三次泛音模式應(yīng)用程序如下：
一。的基頻模式B應(yīng)用。三次泛音模式的應(yīng)用程序下表顯示升的匹配值，C由各種頻率三次泛音模式進(jìn)口石英晶振頻率輸出是目標(biāo)頻率的三倍這個(gè)問題的可能性相對較小。請確定的三次泛音調(diào)模式的頻率反饋是否大于基頻模式，由于放大電路的反饋大當(dāng)放大電路內(nèi)置于芯片組此問題可能會(huì)發(fā)生。為了解決這個(gè)問題，請采用三次泛音模式晶振。5-2。此外，放大電路，第三色調(diào)模式設(shè)計(jì)不當(dāng)也可能導(dǎo)致電路由第五音模式振蕩或不振蕩。系統(tǒng)故障是由于超大輸出波形的幅度。6-1。請參照資料2.也可以提高終端石英晶振電容解決方案，然后檢查波形幅度是否得到改善。
負(fù)載電容:如果振蕩電路中負(fù)載電容的不同，可能導(dǎo)致大型4腳無源諧振器振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差，如下圖所示。電路中的負(fù)載電容的近似表達(dá)式 CL≒CG × CD / （CG+CD） + CS。其中CS表示電路的雜散電容。AEL晶振,貼片晶振,60639晶振,進(jìn)口晶振
測試條件:(1)電源電壓:超過 150µs，直到電壓級別從 0 %達(dá)到 90 % 。電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2)其他:輸入電容低于 15 pF5倍頻率范圍或更多測量頻率。鉛探頭應(yīng)盡可能短。測量陶瓷面石英晶體諧振器頻率時(shí)，探頭阻抗將高于 1MΩ。當(dāng)波形經(jīng)過振蕩器的放大器時(shí)，可同時(shí)進(jìn)行測量。(3)其他:CL包含探頭電容。應(yīng)使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。使用微型插槽，以觀察波形。（請勿使用該探頭的長接地線）.
諧振腔的形式模式，但泛音振蕩或基波。振蕩開始代替。在黑色陶瓷面石英晶體基本諧振的情況下（MHz頻段）反饋電阻通常是1米?。在泛音諧振器（兆赫頻帶）的情況下，值取決于IC和頻率特性，但在幾個(gè)范圍內(nèi)。K?-?幾十K。在音叉式諧振器的案例（kHz頻段），需要連接一個(gè)電阻10米或更?。限制流入諧振器的電流，調(diào)節(jié)負(fù)電阻和勵(lì)磁。電平，防止諧振腔的反常振蕩，抑制頻率波動(dòng)。C1、C2電容器調(diào)節(jié)負(fù)電阻、勵(lì)磁電平和振蕩頻率。還設(shè)置有給定負(fù)載能力。
適當(dāng)?shù)目刂?a title="大體積貼片晶振" target="_blank">大體積貼片晶振電阻值（RD）取決于諧振器的類型，頻帶和設(shè)備的價(jià)值。電容器（C1，C2）。精確值是通過測量振蕩電路的特性來確定的（包括負(fù)電阻和驅(qū)動(dòng)級）。AT切割諧振器（兆赫頻帶）的參考值在幾個(gè)范圍內(nèi)。?幾K?。音叉式諧振器（kHz頻段）的參考值在100 K?幾K?范圍。安裝電容器的適當(dāng)值取決于諧振器的類型、頻帶、控制電阻器的值和振蕩的順序，在3 pF的范圍內(nèi)- 33 pF左右，僅供參考。
AEL晶振,貼片晶振,60637晶振,無源晶振
ILSI晶振,貼片晶振,IL3Y晶振,無源石英晶振