IDT領(lǐng)先的串行RapidIO®,PCI Express®,電源管理,和先進(jìn)的時(shí)機(jī)解決方案包括網(wǎng)絡(luò)同步產(chǎn)品超越競(jìng)爭(zhēng),使客戶開(kāi)發(fā)最先進(jìn)的系統(tǒng)。IDT以其有源晶振和行業(yè)領(lǐng)先的時(shí)間組合來(lái)處理汽車應(yīng)用。IDT在德國(guó)的全資子公司- IDT歐洲有限公司(前身為ZMD AG)運(yùn)營(yíng)其卓越的汽車中心。本公司卓越的子公司/中心是ts - 16949，根據(jù)iso26262的標(biāo)準(zhǔn)，支持功能性安全要求。
由于微電子器件的功率耗散，熱能的管理很重要，可以從任何電子產(chǎn)品中獲得最好的性能。一種微電子設(shè)備的工作溫度決定了石英晶體振蕩器產(chǎn)品的速度和可靠性。IDT開(kāi)發(fā)了與數(shù)字系統(tǒng)相結(jié)合的半導(dǎo)體解決方案，例如處理器和內(nèi)存，彼此之間，以及物理世界。在IDT，我們認(rèn)為作為一個(gè)行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者，我們?cè)诮鉀Q我們星球上一些最偉大的社會(huì)和環(huán)境挑戰(zhàn)方面發(fā)揮了關(guān)鍵作用。

IDT晶振,XO晶振,8N4Q001晶振.采用小型無(wú)鉛（RoHS 6）10引腳陶瓷5mm x 7mm x 1.55mm封裝封裝。除了由FSEL0和FSEL1引腳設(shè)置的四個(gè)默認(rèn)上電頻率之外，IDT8N4Q001可以通過(guò)I2C接口進(jìn)行編程，以15.476MHz至866.67MHz和975MHz至1,300MHz之間的時(shí)鐘頻率輸出，具有非常高的精確度頻率步長(zhǎng)為435.9Hz÷N（N為PLL輸出分頻器）。
由于FSEL0和FSEL1引腳被映射到四個(gè)獨(dú)立的PLL分頻器寄存器（P，MINT，MFRAC和N），因此支持在FSEL0和FSEL1控制下將這些寄存器重新編程到其他頻率。擴(kuò)展的溫度范圍支持無(wú)線基礎(chǔ)設(shè)施，電信和網(wǎng)絡(luò)終端設(shè)備要求。

噪音
在電源或輸入端上施加執(zhí)行級(jí)別(過(guò)高)的不相干(外部的)噪音，可能導(dǎo)致會(huì)引發(fā)功能失?；驌舸┑拈]門或雜散現(xiàn)象。IDT晶振,XO晶振,8N4Q001晶振
電源線路
電源的線路阻抗應(yīng)盡可能低。
輸出負(fù)載
建議將輸出負(fù)載安裝在盡可能靠近石英晶體振蕩器的地方（在20 mm范圍之間）。
未用輸入終端的處理
未用針腳可能會(huì)引起噪聲響應(yīng)，從而導(dǎo)致非正常工作。同時(shí)，當(dāng)P通道和N通道都處于打開(kāi)時(shí)，電源功率消耗也會(huì)增加；因此，請(qǐng)將未用輸入終端連接到VCC 或GND。
熱影響
重復(fù)的溫度巨大變化可能會(huì)降低受損害的SMD振蕩器的產(chǎn)品特性，并導(dǎo)致塑料封裝里的線路擊穿。必須避免這種情況。
安裝方向
進(jìn)口晶體振蕩器的不正確安裝會(huì)導(dǎo)致故障以及崩潰，因此安裝時(shí)，請(qǐng)檢查安裝方向是否正確。
通電
不建議從中間電位和/或極快速通電，否則會(huì)導(dǎo)致六腳有源晶振無(wú)法產(chǎn)生振蕩和/或非正常工作。

輸出波形與測(cè)試電路
1.時(shí)序表

2.測(cè)試條件
(1)電源電壓
超過(guò) 150µs，直到電壓級(jí)別從 0 %達(dá)到 90 % 。
電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。IDT晶振,XO晶振,8N4Q001晶振
(2)其他
輸入電容低于 15 pF
5倍頻率范圍或更多測(cè)量頻率。
鉛探頭應(yīng)盡可能短。
測(cè)量頻率時(shí)，探頭阻抗將高于 1MΩ。當(dāng)波形經(jīng)過(guò)振蕩器的放大器時(shí)，可同時(shí)進(jìn)行測(cè)量。
(3)其他
CL包含探頭電容。
應(yīng)使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。
使用微型插槽，以觀察波形。
（請(qǐng)勿使用該探頭的長(zhǎng)接地線。）

3.測(cè)試電路