電子行業(yè)有一個(gè)非常一致的趨勢(shì)，直接取決于時(shí)間 - 隨著技術(shù)越來(lái)越小，功耗降低的需求越來(lái)越高。解決石英晶體設(shè)計(jì)要求，取決于行業(yè)需求，已經(jīng)成為至關(guān)重要的。Abracon的新發(fā)布的IoT優(yōu)化晶體系列專門設(shè)計(jì)用于解決越來(lái)越多的低功耗趨勢(shì)，從而導(dǎo)致設(shè)計(jì)人員在整個(gè)行業(yè)中面臨的跨導(dǎo)值下降。
Abracon晶振,進(jìn)口晶振,ABM8G晶振.陶瓷表面外殼封裝的四腳3225mm壓電石英晶體產(chǎn)品經(jīng)歷過(guò)一段時(shí)間的低潮之后,近年來(lái)使用的用戶漸漸增加,美國(guó)進(jìn)口的這款ABM8G晶振擁有全球六十多個(gè)國(guó)家和地區(qū)的生產(chǎn)企業(yè)在使用,采用先進(jìn)的玻璃密封技術(shù)打造,為高可靠性和耐高溫特性提供了重要的保障,具有IR回流能力.
石英晶振生產(chǎn)工序主要有晶片清洗、被銀、上架電膠、微調(diào)、封焊、撿漏、印字、老化、測(cè)試。石英晶振晶片清洗：清除石英晶振晶片表面的污物、油物，以保證被銀電極。被復(fù)良好牢固。清洗間有很多化學(xué)試劑,酒精、異丙醇、硫酸、硝酸、清洗液同時(shí)還有電爐烤箱，在晶振生產(chǎn)過(guò)程中應(yīng)注意人身安全和設(shè)備安全。
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Abracon晶振 |
單位 |
ABM8G晶振 |
石英晶振基本條件 |
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標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
f_nom |
12.000MHZ~50.000MHz |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
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儲(chǔ)存溫度 |
T_stg |
-40°C～+85°C |
裸存 |
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工作溫度 |
T_use |
-10°C～+60°C |
標(biāo)準(zhǔn)溫度 |
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激勵(lì)功率 |
DL |
100μW Max. |
推薦:1μW～100μW |
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頻率公差 |
f_— l |
±50 × 10-6(標(biāo)準(zhǔn)) |
+25°C對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說(shuō)明, |
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頻率溫度特征 |
f_tem |
±50 × 10-6/-20°C～+70°C |
超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們. |
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負(fù)載電容 |
CL |
10pF |
不同負(fù)載要求,請(qǐng)聯(lián)系我們. |
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串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C,DL = 100μW |
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頻率老化 |
f_age |
±3 × 10-6/ year Max. |
+25°C,第一年 |
＜晶體諧振器＞
如果過(guò)大的激勵(lì)電力對(duì)石英晶體諧振器外加電壓，有可能導(dǎo)致特性老化或損壞，因此請(qǐng)?jiān)谛麄鲀?cè)、規(guī)格書(shū)中規(guī)定的范圍內(nèi)使用。
讓無(wú)源晶振振蕩的電路寬裕度大致為負(fù)性阻抗值。本公司推薦此負(fù)性阻抗為諧振器串聯(lián)電阻規(guī)格值的5倍以上，若是車載和安全設(shè)備，則推薦10倍 以上。Abracon晶振,進(jìn)口晶振,ABM8G晶振
＜晶體振蕩器＞
晶體振蕩器的內(nèi)部電路使用C-MOS。閉鎖、靜電對(duì)策請(qǐng)和一般的C-MOS IC一樣考慮。
有些石英晶體振蕩器沒(méi)有和旁路電容器進(jìn)行內(nèi)部連接。使用時(shí)，請(qǐng)?jiān)赩dd-GND之間用0.01μF左右的高頻特性較好的電容器（陶瓷片狀電容器等）以 最短距離連接。關(guān)于個(gè)別機(jī)型請(qǐng)確認(rèn)宣傳冊(cè)、規(guī)格書(shū)。
＜晶體濾波器＞
注意電路板圖形的配置，避免輸入端子和輸出端子靠得太近。
如果貼裝晶體濾光片的電路板的雜散電容較大，為了消除該雜散電容，有時(shí)需要配置調(diào)諧電路。
如果過(guò)大的激勵(lì)電力對(duì)諧振器外加電壓，有可能導(dǎo)致特性老化或損壞，因此請(qǐng)?jiān)跒V波器的輸入電平在−10dBm以下的狀態(tài)下使用。
＜光學(xué)產(chǎn)品＞
由于制造過(guò)程中進(jìn)行了灰塵等異物管理，因此包裝開(kāi)封以后，請(qǐng)?jiān)谶M(jìn)行清潔度管理的環(huán)境中使用。
輸出波形與測(cè)試電路
1.時(shí)序表
2.測(cè)試條件
(1)電源電壓
超過(guò) 150µs，直到電壓級(jí)別從 0 %達(dá)到 90 % 。
電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。Abracon晶振,進(jìn)口晶振,ABM8G晶振
(2)其他
輸入電容低于 15 pF
5倍頻率范圍或更多測(cè)量頻率。
鉛探頭應(yīng)盡可能短。
測(cè)量頻率時(shí)，探頭阻抗將高于 1MΩ。當(dāng)波形經(jīng)過(guò)振蕩器的放大器時(shí)，可同時(shí)進(jìn)行測(cè)量。
(3)其他
CL包含探頭電容。
應(yīng)使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。
使用微型插槽，以觀察波形。
（請(qǐng)勿使用該探頭的長(zhǎng)接地線。）
3.測(cè)試電路
鴻星晶振,陶瓷面晶體,E3FB晶振
CTS晶振,陶瓷面貼片晶體,443晶振
希華晶振,陶瓷殼壓電石英晶體,GX-32254晶振
NDK晶振,貼片晶振,NX1610SA晶振
CTS晶振,貼片晶振,GA324晶振
ECS晶體,貼片晶振,ECX-32晶振
微晶晶振,貼片晶振,CM7V-T1A_Low-ESR晶振,貼片石英晶振
加高晶振,貼片晶振,HSX321G晶振,進(jìn)口貼片晶振
KDS晶振,貼片晶振,DSX320G晶振,貼片諧振器
鴻星晶振,貼片晶振,HCX-3SB晶振,進(jìn)口無(wú)源晶振