Cardinal的定價(jià)和交付時(shí)間在時(shí)鐘晶體元件行業(yè)中最具競爭力。銷售代表，分銷商和專門的內(nèi)部銷售部門專注于提供高水平的服務(wù)以滿足您的需求。紅衣主教的區(qū)別不僅僅是我們的產(chǎn)品范圍或我們的技術(shù)能力。您可以信賴的穩(wěn)定可靠的性能是我們公司與眾不同之處。
我們很高興地宣布，泰藝美國子公司Isotemp（http://www.taitien.com/）已經(jīng)收購了Cardinal Components（http://www.cardinalxtal.com/）的資產(chǎn)。此次收購于2016年4月8日完成。Taitien是全球領(lǐng)先的頻率控制產(chǎn)品制造商，提供廣泛的3.2*1.5晶振，振蕩器，VCXO，TCXO，OCXO，精密晶體和厚度監(jiān)視器晶體。該公司通過了ISO 9001和TS 16949認(rèn)證，在臺(tái)灣，中國和美國擁有制造，設(shè)計(jì)和應(yīng)用工程資源。
Cardinal晶振,貼片晶振,CPS晶振,音叉晶振,此款SMD晶體并且可以承受回流焊接的高溫，波峰焊接，回流焊接等，貼片表晶主要特點(diǎn)是該產(chǎn)品排帶包裝，焊接模式主要使用SMT焊接，給現(xiàn)代SMT工藝帶來高速的工作效率，32.768K系列產(chǎn)品本身具有體積小,厚度薄,重量輕等特點(diǎn)，此音叉型石英晶體諧振器,晶振產(chǎn)品本身具備優(yōu)良的耐熱性,耐環(huán)境特性,在辦公自動(dòng)化,家電領(lǐng)域,移動(dòng)通信領(lǐng)域可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,符合無鉛標(biāo)準(zhǔn),滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求,金屬外殼的石英晶振使得產(chǎn)品在封裝時(shí)能發(fā)揮比陶瓷晶振外殼更好的耐沖擊性能.
超小型、超低頻石英晶振晶片的邊緣處理技術(shù)：是超小型、超低頻石英晶體諧振器元器件研發(fā)及生產(chǎn)必須解決的技術(shù)問題，為壓電石英晶振行業(yè)的技術(shù)難題之一。具體解決的辦法是使用高速倒邊方式，通過結(jié)合以往低速滾筒倒邊去除晶振晶片的邊緣效應(yīng)，在實(shí)際操作中機(jī)器運(yùn)動(dòng)方式設(shè)計(jì)、滾筒的曲率半徑、滾筒的長短、使用的研磨砂的型號(hào)、多少、填充物種類及多少等各項(xiàng)設(shè)計(jì)必須合理，有一項(xiàng)不完善都會(huì)使石英晶振晶片的邊緣效應(yīng)不能去除，而石英晶振晶片的諧振電阻過大，用在電路中Q值過小，從而電路不能振動(dòng)或振動(dòng)不穩(wěn)定。3225進(jìn)口石英晶振,無源四腳SMD晶振,QC32GA晶振
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Cardinal晶振 |
單位 |
CPS晶振 |
石英晶振基本條件 |
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標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
f_nom |
32.768KHZ |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
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儲(chǔ)存溫度 |
T_stg |
-55°C~+125°C |
裸存 |
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工作溫度 |
T_use |
-10°C~+85°C |
標(biāo)準(zhǔn)溫度 |
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激勵(lì)功率 |
DL |
1μW Max. |
推薦:1μW |
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頻率公差 |
f_— l |
±20,100× 10-6 |
+25°C對于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, |
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頻率溫度特征 |
f_tem |
±50× 10-6/-30°C~+85°C |
超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請聯(lián)系我們. |
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負(fù)載電容 |
CL |
7,9,12.5PF |
不同負(fù)載電容要求,請聯(lián)系我們. |
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串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C~+85°C,DL = 100μW |
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頻率老化 |
f_age |
±3× 10-6/year Max. |
+25°C,第一年 |
石英進(jìn)口晶振自動(dòng)安裝和真空化引發(fā)的沖擊會(huì)破壞產(chǎn)品特性并影響這些產(chǎn)品。請?jiān)O(shè)置安裝條件以盡可能將沖擊降至最低,并確保在安裝前未對晶振特性產(chǎn)生影響。條件改變時(shí),請重新檢查安裝條件。同時(shí),在安裝前后,請確保石英晶振產(chǎn)品未撞擊機(jī)器或其他電路板等。Cardinal晶振,貼片晶振,CPS晶振,音叉晶振
每個(gè)封裝類型的注意事項(xiàng):(1)陶瓷包裝晶振與SON產(chǎn)品:在焊接金屬封裝晶振和SON產(chǎn)品 (陶瓷包裝是指晶振外觀采用陶瓷制品) 之后,彎曲電路板會(huì)因機(jī)械應(yīng)力而導(dǎo)致焊接部分剝落或封裝分裂（開裂）。尤其在焊接這些產(chǎn)品之后進(jìn)行電路板切割時(shí),務(wù)必確保在應(yīng)力較小的位置布局晶體并采用應(yīng)力更小的切割方法。
（2）陶瓷包裝石英晶振:在一個(gè)不同擴(kuò)張系數(shù)電路板（環(huán)氧玻璃）上焊接陶瓷封裝進(jìn)口貼片晶振時(shí),在溫度長時(shí)間重復(fù)變化時(shí)可能導(dǎo)致端子焊接部分發(fā)生斷裂,請事先檢查焊接特性。陶瓷封裝貼片晶振:在一個(gè)不同擴(kuò)張系數(shù)電路板（環(huán)氧玻璃）上焊接陶瓷封裝貼片晶振時(shí),在溫度長時(shí)間重復(fù)變化時(shí)可能導(dǎo)致端子焊接部分發(fā)生斷裂,請事先檢查焊接特性。3225進(jìn)口石英晶振,無源四腳SMD晶振,QC32GA晶振
此外，振蕩頻率與測量點(diǎn)不同。1。測量3215千赫子時(shí)鐘晶體緩沖輸出2。振蕩級輸出測量三.通過電容器測量振蕩級輸出圖5示出以上1-3個(gè)測量點(diǎn)和所測量的除緩沖器輸出外，振蕩頻率較低。Cardinal晶振,貼片晶振,CPS晶振,音叉晶振
測試條件:(1)電源電壓:超過 150µs，直到電壓級別從 0 %達(dá)到 90 % 。電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2)其他:輸入電容低于 15 pF5倍頻率范圍或更多測量頻率。鉛探頭應(yīng)盡可能短。測量32.768K貼片晶振頻率時(shí)，探頭阻抗將高于 1MΩ。當(dāng)波形經(jīng)過振蕩器的放大器時(shí)，可同時(shí)進(jìn)行測量。(3)其他:CL包含探頭電容。應(yīng)使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。使用微型插槽，以觀察波形。（請勿使用該探頭的長接地線）.
1.振蕩電路:晶體諧振器是無源元件，因此受到小體積兩腳貼片晶振電源電壓、環(huán)境溫度、電路的影響。配置、電路常數(shù)和襯底布線模式等操作大致分為正常運(yùn)行和異常運(yùn)行。因此，在振蕩電路的設(shè)計(jì)中，先決條件之一是如何確定振蕩電路。晶體諧振器的振動(dòng)安全穩(wěn)定。只有在做出了這個(gè)決定之后，后續(xù)的項(xiàng)目，例如討論了頻率精度、頻率變化、調(diào)制度、振蕩起始時(shí)間和振蕩波形。
2.角色的分量與參考值:在振蕩電路的設(shè)計(jì)中，必須認(rèn)識(shí)到32.768K音叉型晶體諧振器個(gè)體的作用。組件.在表1中，以例如振蕩電路為例來描述角色。（圖1）使用一個(gè)通用的C-MOS IC（74hcuo4ap東芝）。當(dāng)反饋電阻（rf）未安裝在振蕩電路中時(shí)，如圖所示表1，即使在振蕩功率作用下，諧振器也不會(huì)啟動(dòng)振蕩。電路。除非有適當(dāng)值的電阻器連接，否則振蕩不會(huì)啟動(dòng)。3225進(jìn)口石英晶振,無源四腳SMD晶振,QC32GA晶振
AEL晶振,貼片晶振,60610晶振,音叉晶振
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