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首頁 愛普生晶振

愛普生晶振,貼片晶振,FC-135晶振,FC-135 32.7680KA-AC

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產(chǎn)品簡介

智能手機(jī)晶振,"FC-135 32.7680KA-AC"產(chǎn)品具有高精度超小型的表面貼片型石英晶體振蕩器,最適用于移動通信終端的基準(zhǔn)時鐘等移動通信領(lǐng)域.比如智能手機(jī),無線通信,衛(wèi)星導(dǎo)航,平臺基站等較高端的數(shù)碼產(chǎn)品,晶振本身小型,薄型具備各類移動通信的基準(zhǔn)時鐘源用頻率,貼片晶振具有優(yōu)良的電氣特性.

產(chǎn)品詳情

EPSONdhl

在2010年全球晶振廠家排名中,占據(jù)首位.愛普生僅此一項(xiàng)水晶振動子行業(yè)就能足矣讓電子世界的人都敬佩不已.愛普生晶振以32.768KHZ晶振稱霸晶振行業(yè),主要消費(fèi)在手機(jī),PCB,等電子產(chǎn)品.同時愛普生以提供原子鐘的精準(zhǔn)振蕩器知名業(yè)界.僅此在音叉振子和振蕩器還遠(yuǎn)遠(yuǎn)達(dá)不到愛普生本身的要求.他們要求的是在元器件占領(lǐng)NO1.

jlx-1

愛普生晶振,進(jìn)口晶振,FC-135晶振,

jlx-2

愛普生晶振

符號

FC-135晶振

愛普生晶振基本信息對照表

Crystal標(biāo)準(zhǔn)頻率

f_nom

32.768kHz


儲存溫度

T_stg

-55°C — +125°C

裸存

工作溫度

T_use

-40°C — +85°C

KDS晶振特定的溫度

激勵功率

DL

0.5μW (1.0μW Max.)

如你有最大激勵功率為1.0μW需求,請聯(lián)系我們金洛電子

精度

f_— l

±20ppm

如有需要更高的精度可以特定.

拐點(diǎn)溫度

Ti

+25°C ±5°C


負(fù)載電容

CL

9pF, 12.5pF

可按客戶需求指定

串聯(lián)電阻(ESR)

R1

70kΩ Max.

70kΩ — 45kΩ

頻率老化

f_age

±3 ×10-6/ year Max.

+25°C,第一年

jlx-3

FC-135cct

jlx-4

操作
請勿用鑷子或任何堅硬的工具,夾具直接接觸IC的表面。
使用環(huán)境(溫度和濕度)
請在規(guī)定的溫度范圍內(nèi)使用產(chǎn)品。這個溫度涉及本體的和季節(jié)變化的溫度。在高濕環(huán)境下,會由于凝露引起故障。請避免凝露的產(chǎn)生。
激勵功率
在晶體單元上施加過多驅(qū)動力,會導(dǎo)致產(chǎn)品特性受到損害或破壞。電路設(shè)計必須能夠維持適當(dāng)?shù)募罟β?(請參閱“激勵功率”章節(jié)內(nèi)容)。
負(fù)極電阻
除非振蕩回路中分配足夠多的負(fù)極電阻,否則振蕩或振蕩啟動時間可能會增加(請參閱“關(guān)于振蕩”章節(jié)內(nèi)容)。
負(fù)載電容
振蕩電路中負(fù)載電容的不同,可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計頻率之間產(chǎn)生偏差。試圖通過強(qiáng)力調(diào)整,可能只會導(dǎo)致不正常的振蕩。在使用之前,請指明該振動電路的負(fù)載電容(請參閱“負(fù)載電容”章節(jié)內(nèi)容)。
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設(shè)計振蕩回路的注意事項(xiàng)
1.驅(qū)動能力
驅(qū)動能力說明振蕩晶體單元所需電功率,其計算公式如下:
驅(qū)動能力 (P) = i2?Re
其中i表示經(jīng)過晶體單元的電流,
Re表示晶體單元的有效電阻,而且 Re=R1(1+Co/CL)2。

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2.振蕩補(bǔ)償
除非在振蕩電路中提供足夠的負(fù)極電阻,否則會增加振蕩啟動時間,或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生,請在電路設(shè)計時提供足夠的負(fù)極電阻。

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3.負(fù)載電容
如果振蕩電路中負(fù)載電容的不同,可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計頻率之間產(chǎn)生偏差,如下圖所示。電路中的負(fù)載電容的近似表達(dá)式 CL≒CG × CD / (CG+CD) + CS。
其中CS表示電路的雜散電容。

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頻率和負(fù)載電容特征圖器

sjzrhl_4

振蕩回路參數(shù)設(shè)置參考

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