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BLT-2

百利通亞陶晶振公司產(chǎn)品聚焦于高成長(zhǎng)終端用戶(hù)設(shè)備市場(chǎng)，例如電視/衛(wèi)星機(jī)頂盒、可攜式 DVD 播放器、數(shù)據(jù)通訊設(shè)備、ADSL 調(diào)制解調(diào)器、電源供應(yīng)器、醫(yī)療裝置 (非維生裝置/系統(tǒng))、個(gè)人計(jì)算機(jī)與筆記本電腦、平面顯示器、數(shù)字相機(jī)、手機(jī)、AC-DC 與 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、無(wú)線(xiàn) 802.11 LAN 存取點(diǎn)、無(wú)刷直流馬達(dá)風(fēng)扇、序列連接及汽車(chē)應(yīng)用。
百利通亞陶晶振集團(tuán)消除事故和環(huán)境方面的偶發(fā)事件,減少晶體諧振器、普通晶體振蕩器（SPXO）材料廢物的產(chǎn)生和排放,有效的使用能源和各種自然資源,對(duì)緊急事件做好充分準(zhǔn)備,以便及時(shí)做出反應(yīng).百利通亞陶晶振重視污染預(yù)防,消除偏離程序的行為強(qiáng)調(diào)通過(guò)員工努力這一最可行的方法持續(xù)改進(jìn)我們經(jīng)營(yíng)活動(dòng)的環(huán)境績(jī)效.

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BLT-1

百利通亞陶晶振,貼片晶振,FWQ晶振.產(chǎn)品具有高精度超小型的表面貼片型石英晶體振蕩器,最適用于移動(dòng)通信終端的基準(zhǔn)時(shí)鐘等移動(dòng)通信領(lǐng)域.比如智能手機(jī),無(wú)線(xiàn)通信,衛(wèi)星導(dǎo)航,平臺(tái)基站等較高端的數(shù)碼產(chǎn)品,晶振本身小型,薄型具備各類(lèi)移動(dòng)通信的基準(zhǔn)時(shí)鐘源用頻率,貼片晶振具有優(yōu)良的電氣特性,耐環(huán)境性能適用于移動(dòng)通信領(lǐng)域,滿(mǎn)足無(wú)鉛焊接的高溫回流溫度曲線(xiàn)要求.
亞陶晶振高精密點(diǎn)膠技術(shù)：石英晶振晶片膠點(diǎn)的位置、大小：位置準(zhǔn)確度以及膠點(diǎn)大小一致性，通過(guò)圖像識(shí)別及高精密度數(shù)字定位系統(tǒng)的運(yùn)用、使石英晶振晶片的點(diǎn)膠的精度在±0.02mm之內(nèi)。將被上銀電極的晶片裝在彈簧支架上，點(diǎn)上導(dǎo)電膠，并高溫固化，通過(guò)彈簧即可引出電信號(hào)。

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亞陶晶振	單位	FWQ晶振	石英晶振基本條件
標(biāo)準(zhǔn)頻率	f_nom	16.000MHz~66.000MHz	標(biāo)準(zhǔn)頻率
儲(chǔ)存溫度	T_stg	-55°C~+125°C	裸存
工作溫度	T_use	-20°C~+70°C/-40°C~+85°C -40°C~+105°C/-40°C~+125°C	標(biāo)準(zhǔn)溫度
激勵(lì)功率	DL	10/100μW Max.	推薦:10μW~100μW
頻率公差	f_— l	±10×10-6(標(biāo)準(zhǔn)), (±10×10-6~±50×10-6可用)	+25°C對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說(shuō)明, 請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://m.jftz888.com
頻率溫度特征	f_tem	±10~±100× 10-6/-40°C~+85°C	超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們.
負(fù)載電容	CL	7pF~32pF	不同負(fù)載電容要求,請(qǐng)聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR)	R1	如下表所示	-40°C ~ +85°C,DL = 100μW
頻率老化	f_age	±3× 10-6/ year Max.	+25°C,第一年

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FWQ 2016

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＜晶體諧振器＞
如果過(guò)大的激勵(lì)電力對(duì)石英晶體諧振器外加電壓，有可能導(dǎo)致特性老化或損壞，因此請(qǐng)?jiān)谛麄鲀?cè)、規(guī)格書(shū)中規(guī)定的范圍內(nèi)使用。讓無(wú)源晶振振蕩的電路寬裕度大致為負(fù)性阻抗值。本公司推薦此負(fù)性阻抗為諧振器串聯(lián)電阻規(guī)格值的5倍以上，若是車(chē)載和安全設(shè)備，則推薦10倍以上。
＜晶體振蕩器＞
晶體振蕩器的內(nèi)部電路使用C-MOS。閉鎖、靜電對(duì)策請(qǐng)和一般的C-MOS IC一樣考慮。有些石英晶體振蕩器沒(méi)有和旁路電容器進(jìn)行內(nèi)部連接。使用時(shí)，請(qǐng)?jiān)赩dd-GND之間用0.01μF左右的高頻特性較好的電容器（陶瓷片狀電容器等）以最短距離連接。關(guān)于個(gè)別機(jī)型請(qǐng)確認(rèn)宣傳冊(cè)、規(guī)格書(shū)。
＜晶體濾波器＞
注意電路板圖形的配置，避免輸入端子和輸出端子靠得太近。如果貼裝晶體濾光片的電路板的雜散電容較大，為了消除該雜散電容，有時(shí)需要配置調(diào)諧電路。如果過(guò)大的激勵(lì)電力對(duì)諧振器外加電壓，有可能導(dǎo)致特性老化或損壞，因此請(qǐng)?jiān)跒V波器的輸入電平在−10dBm以下的狀態(tài)下使用。
＜光學(xué)產(chǎn)品＞
由于制造過(guò)程中進(jìn)行了灰塵等異物管理，因此包裝開(kāi)封以后，請(qǐng)?jiān)谶M(jìn)行清潔度管理的環(huán)境中使用。

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設(shè)計(jì)振蕩回路的注意事項(xiàng)
1.驅(qū)動(dòng)能力
驅(qū)動(dòng)能力說(shuō)明所需電功率，其計(jì)算公式如下：
驅(qū)動(dòng)能力 (P) = i2_Re
其中i表示經(jīng)過(guò)晶體單元的電流，
Re表示晶體單元的有效電阻，而且 Re=R1（1+Co/CL）2。

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2.振蕩補(bǔ)償
除非在振蕩電路中提供足夠的負(fù)極電阻，否則會(huì)增加振蕩啟動(dòng)時(shí)間，或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生，請(qǐng)?jiān)陔娐吩O(shè)計(jì)時(shí)提供足夠的負(fù)極電阻。

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3.負(fù)載電容
如果振蕩電路中負(fù)載電容的不同，可能導(dǎo)振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差，如下圖所示。電路中的負(fù)載電容的近似表達(dá)式 CL≒CG × CD / （CG+CD） + CS。
其中CS表示電路的雜散電容。2520耐高溫晶振,超小型汽車(chē)晶振,FHQ晶振

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