憑借我們對(duì)互聯(lián)網(wǎng)和電子商務(wù)的承諾，我們能夠支持我們客戶最復(fù)雜和最苛刻的需求使我們與其他供應(yīng)商分開(kāi)的是我們?nèi)嗣竦慕?jīng)驗(yàn)和能力。我們的業(yè)務(wù)團(tuán)隊(duì)是晶振業(yè)界最有經(jīng)驗(yàn)和最了解的之一，使我們能夠提供我們的客戶友好，專業(yè)的建議和一個(gè)非常有效的服務(wù)。我們的理念始終以產(chǎn)品和服務(wù)的質(zhì)量和一致性為基礎(chǔ)。我們多年來(lái)一直努力保持我們的產(chǎn)品在頻率控制市場(chǎng)的發(fā)展的最前沿。我們高度重視與我們的制造業(yè)伙伴發(fā)展的關(guān)系，每一個(gè)精心挑選，以自己對(duì)客戶服務(wù)和產(chǎn)品質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)的承諾。
石英晶振真空退火技術(shù)：晶振高真空退火處理是消除貼片無(wú)源晶振在加工過(guò)程中產(chǎn)生的應(yīng)力及輕微表面缺陷。在PLC控制程序中輸入已設(shè)計(jì)好的溫度曲線，使真空室溫度跟隨設(shè)定曲線對(duì)晶體組件進(jìn)行退火，石英晶振通過(guò)合理的真空退火技術(shù)可提高晶振主要參數(shù)的穩(wěn)定性，以及提高石英晶振的年老化特性。從而達(dá)到一般研磨所達(dá)不到的產(chǎn)品性能，使石英晶振的等效電阻等更接近理論值，使晶振可在更低功耗下工作。使用先進(jìn)的牛頓環(huán)及單色光的方法去檢測(cè)晶片表面的狀態(tài)。
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Golledge晶振 |
單位 |
GSX-323晶振 |
石英晶振基本條件 |
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標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
f_nom |
12~54MHZ |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
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儲(chǔ)存溫度 |
T_stg |
-40°C～+85°C |
裸存 |
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工作溫度 |
T_use |
-10°C～+80°C |
標(biāo)準(zhǔn)溫度 |
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激勵(lì)功率 |
DL |
10μW Max. |
推薦:10μW |
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頻率公差 |
f_— l |
±10,±15,±20× 10-6(標(biāo)準(zhǔn)) |
+25°C對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說(shuō)明, |
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頻率溫度特征 |
f_tem |
±10,±15,±20,±30× 10-6/-20°C～+70°C |
超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們. |
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負(fù)載電容 |
CL |
8,9,12,16pF |
不同負(fù)載要求,請(qǐng)聯(lián)系我們. |
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串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C,DL = 100μW |
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頻率老化 |
f_age |
±1× 10-6/ year Max. |
+25°C,第一年 |
機(jī)械振動(dòng)的影響:當(dāng)晶振產(chǎn)品上存在任何給定沖擊或受到周期性機(jī)械振動(dòng)時(shí),比如：壓電揚(yáng)聲器,壓電蜂鳴器,以及喇叭等,輸出頻率和幅度會(huì)受到影響。這種現(xiàn)象對(duì)通信器材通信質(zhì)量有影響。盡管進(jìn)口SMD晶振產(chǎn)品設(shè)計(jì)可最小化這種機(jī)械振動(dòng)的影響,我們推薦事先檢查并按照下列安裝指南進(jìn)行操作。
PCB設(shè)計(jì)指導(dǎo):(1) 理想情況下,機(jī)械蜂鳴器應(yīng)安裝在一個(gè)獨(dú)立于SMD石英晶體器件的PCB板上。如果您安裝在同一個(gè)PCB板上,最好使用余量或切割PCB。當(dāng)應(yīng)用于PCB板本身或PCB板體內(nèi)部時(shí),機(jī)械振動(dòng)程度有所不同。建議遵照內(nèi)部板體特性。(2) 在設(shè)計(jì)時(shí)請(qǐng)參考相應(yīng)的推薦封裝。(3) 在使用焊料助焊劑時(shí),按JIS標(biāo)準(zhǔn)(JIS C 60068-2-20/IEC 60,068-2-20).來(lái)使用。(4) 請(qǐng)按JIS標(biāo)準(zhǔn)(JIS Z 3282, Pb 含量 1000ppm, 0.1wt% 或更少)來(lái)使用無(wú)鉛焊料。
驅(qū)動(dòng)能力:驅(qū)動(dòng)能力說(shuō)明2520石英貼片晶振振蕩晶體單元所需電功率，其計(jì)算公式如下：驅(qū)動(dòng)能力 (P) = i2?Re其中i表示經(jīng)過(guò)晶體單元的電流，Re表示晶體單元的有效電阻，而且 Re=R1（1+Co/CL）.Golledge晶振,貼片晶振,GSX-323晶振,無(wú)源進(jìn)口晶振
測(cè)試條件:(1)電源電壓:超過(guò) 150µs，直到電壓級(jí)別從 0 %達(dá)到 90 % 。電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2)其他:輸入電容低于 15 pF5倍頻率范圍或更多測(cè)量頻率。鉛探頭應(yīng)盡可能短。測(cè)量2520mm晶振頻率時(shí)，探頭阻抗將高于 1MΩ。當(dāng)波形經(jīng)過(guò)振蕩器的放大器時(shí)，可同時(shí)進(jìn)行測(cè)量。(3)其他:CL包含探頭電容。應(yīng)使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。使用微型插槽，以觀察波形。（請(qǐng)勿使用該探頭的長(zhǎng)接地線）.
振蕩電路:晶體諧振器是無(wú)源元件，因此受到2520進(jìn)口貼片晶振貼片電源電壓、環(huán)境溫度、電路的影響。配置、電路常數(shù)和襯底布線模式等操作大致分為正常運(yùn)行和異常運(yùn)行。因此，在振蕩電路的設(shè)計(jì)中，先決條件之一是如何確定振蕩電路。晶體諧振器的振動(dòng)安全穩(wěn)定。只有在做出了這個(gè)決定之后，后續(xù)的項(xiàng)目，例如討論了頻率精度、頻率變化、調(diào)制度、振蕩起始時(shí)間和振蕩波形。
此外，振蕩頻率與測(cè)量點(diǎn)不同。1。測(cè)量緩沖輸出2。振蕩級(jí)輸出測(cè)量三.通過(guò)無(wú)源晶體諧振器電容器測(cè)量振蕩級(jí)輸出圖5示出以上1-3個(gè)測(cè)量點(diǎn)和所測(cè)量的除緩沖器輸出外，振蕩頻率較低。
村田晶振,TDS-2520F晶振,XRCHJ16M000F1QB1P0晶振
瑞康晶振,貼片晶振,R2520A晶振,車載晶振
Abracon晶振,貼片晶振,ABM10-165晶振,無(wú)源進(jìn)口晶振