成立于邁阿密,在1983年,Raltron電子公司已經(jīng)發(fā)展成為其中之一公認的經(jīng)驗豐富的頻率管理產(chǎn)品制造商在世界各地。從簡單音叉晶體到高穩(wěn)定性控制晶體振蕩器,Raltron提供最多全行業(yè)的頻率管理設(shè)備。Raltron通過全球獨立銷售網(wǎng)絡(luò)為全球客戶提供支持代表以及亞洲的幾個附屬辦事處,戰(zhàn)略地位于主要客戶附近和市場。該公司的產(chǎn)品由幾家大型全球經(jīng)銷商分銷目錄房屋以及區(qū)域經(jīng)銷商處理具體的市場。
Raltron自豪地為消費電子市場提供晶體,調(diào)諧叉,時鐘振蕩器,鋸設(shè)備,陶瓷諧振器,LTCC RF陶瓷產(chǎn)品和天線。該產(chǎn)品旨在滿足消費者應(yīng)用的關(guān)鍵要求,如電池操作相關(guān)的低尺寸,小尺寸和低功耗。Raltron Electronics致力于為符合歐盟議會和2011年6月08日理事會2011/65 / EU指令的頻率管理設(shè)備提供限制在電氣和電子設(shè)備中使用某些有害物質(zhì)(RoHS指令)。
Raltron晶振,貼片晶振,R2016晶振.外觀完全使用金屬材料封裝的,產(chǎn)品本身采用全自動石英晶體檢測儀,以及跌落,漏氣等苛刻實驗.產(chǎn)品本身具有高穩(wěn)定性,高可靠性的石英晶體諧振器,焊接方面支持表面貼裝,外觀采用金屬封裝,具有充分的密封性能,晶振本身能確保其高可靠性,采用編帶包裝,可對應(yīng)產(chǎn)品應(yīng)用到自動貼片機告訴安裝,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.
Raltron貼片晶振晶片邊緣處理技術(shù):貼片晶振是晶片通過滾筒倒邊,主要是為了去除石英晶振晶片的邊緣效應(yīng),在實際操作中機器運動方式設(shè)計、滾筒的曲率半徑、滾筒的長短、使用的研磨砂的型號、多少、填充物種類及多少等各項設(shè)計必須合理,有一項不完善都會使晶振晶片的邊緣效應(yīng)不能去除,而石英晶振晶片的諧振電阻過大,用在電路中Q值過小,從而電路不能振動或振動了不穩(wěn)定。
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Raltron晶振 |
單位 |
R2016晶振 |
石英晶振基本條件 |
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標準頻率 |
f_nom |
20.000MHz~80.000MHz |
標準頻率 |
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儲存溫度 |
T_stg |
-40°C~+85°C |
裸存 |
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工作溫度 |
T_use |
-10°C~+60°C/-40°C~+85°C |
標準溫度 |
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激勵功率 |
DL |
100μW Max. |
推薦:100μW |
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頻率公差 |
f_— l |
±50×10-6(標準), |
+25°C對于超出標準的規(guī)格說明, |
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頻率溫度特征 |
f_tem |
±10~±50×10-6/-20°C~+70°C |
超出標準的規(guī)格請聯(lián)系我們. |
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負載電容 |
CL |
8pF~22pF |
不同負載電容要求,請聯(lián)系我們. |
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串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-10°C~+60°C,DL=100μW |
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頻率老化 |
f_age |
±5×10-6/year Max. |
+25°C,第一年 |
貼片晶振可能會在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落或在貼裝過程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過沖擊請勿使用。
輻射
暴露于輻射環(huán)境會導(dǎo)致石英晶體性能受到損害,因此應(yīng)避免照射。
化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境
請勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解進口晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲藏這些產(chǎn)品。
粘合劑
請勿使用可能導(dǎo)致SMD晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。 (比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶體單元的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能。)
鹵化合物
請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用無源晶振。即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕。同時,請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂。
靜電
過高的靜電可能會損壞石英晶體諧振器,請注意抗靜電條件。請為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料。在處理的時候,請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進行接地操作。
設(shè)計振蕩回路的注意事項
1.驅(qū)動能力
驅(qū)動能力說明單元所需電功率,其計算公式如下:
驅(qū)動能力 (P) = i2?Re
其中i表示經(jīng)過晶體單元的電流,
Re表示晶體單元的有效電阻,而且 Re=R1(1+Co/CL)2。
2.振蕩補償
除非在振蕩電路中提供足夠的負極電阻,否則會增加振蕩啟動時間,或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生,請在電路設(shè)計時提供足夠的負極電阻。
3. 負載電容
如果振蕩電路中負載電容的不同,可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計頻率之間產(chǎn)生偏差,如下圖所示。電路中的負載電容的近似表達式 CL≒CG × CD / (CG+CD) + CS。
其中CS表示電路的雜散電容。
頻率和負載電容特征圖器
振蕩回路參數(shù)設(shè)置參考


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