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首頁 精工晶振

精工晶振,貼片晶振,SC-20S晶體

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產(chǎn)品簡介

小型貼片石英晶振,外觀尺寸具有薄型表面貼片型石英晶體諧振器,特別適用于有小型化要求的市場領(lǐng)域,比如智能手機(jī),無線藍(lán)牙,平板電腦等電子數(shù)碼產(chǎn)品.晶振本身超小型,薄型,重量輕,晶體具有優(yōu)良的耐環(huán)境特性,如耐熱性,耐沖擊性,在辦公自動化,家電相關(guān)電器領(lǐng)域及Bluetooth,Wireless LAN等短距離無線通信領(lǐng)域可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求.

產(chǎn)品詳情

SEIKOhf

精工晶振的代理商都知道精工常用的頻率都是32.768KHZ的,因此精工晶振通常也被稱為精工表晶。SEIKO生產(chǎn)的石英晶振型號并不是很多,但是質(zhì)量絕對可以和日產(chǎn)任何一個大品牌“媲美”。2012年精工SEIKO集團(tuán)在國內(nèi)投資1530萬美元建設(shè)生產(chǎn)基地。更大的彌補(bǔ)了國內(nèi)市場對高端晶體的需求。

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精工晶振,貼片晶振,SC-20S晶體,SEIKO晶振公司一直在努力研發(fā)更好,更高品質(zhì)的小型32.768K晶體,并且為整個晶振行業(yè)做出了不小的貢獻(xiàn),這顆SC-20S晶振尺寸是2.0*1.2mm,晶振頻率±20ppm,負(fù)載電容有7pF、9pF、12.5pF三種可以選擇,應(yīng)用在基準(zhǔn)時鐘系統(tǒng)裝置,計(jì)時與定時皆可精準(zhǔn)到秒.

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精工晶振

符號

SC-20S晶振

精工晶振基本信息對照表

Crystal標(biāo)準(zhǔn)頻率

f_nom

32.768kHz


儲存溫度

T_stg

-55°C — +125°C

裸存

工作溫度

T_use

-40°C — +85°C

精工晶振特定的溫度

激勵功率

DL

0.5μW (1.0μW Max.)

如你有最大激勵功率為1.0μW需求,請聯(lián)系我們金洛電子

精度

f_— l

±20ppm

如有需要更高的精度可以特定.

拐點(diǎn)溫度

Ti

+25°C ±5°C


負(fù)載電容

CL

7pF, 9pF, 12.5pF

可按客戶需求指定

串聯(lián)電阻(ESR)

R1

70kΩ Max.

70kΩ — 45kΩ

頻率老化

f_age

±3 ×10-6/ year Max.

+25°C,第一年

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SC-20Scct

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機(jī)械振動的影響
當(dāng)晶體產(chǎn)品上存在任何給定沖擊或受到周期性機(jī)械振動時,比如:壓電揚(yáng)聲器,壓電蜂鳴器,以及喇叭等,輸出頻率和幅度會受到影響。這種現(xiàn)象對通信器材通信質(zhì)量有影響。盡管晶體產(chǎn)品設(shè)計(jì)可最小化這種機(jī)械振動的影響,我們推薦事先檢查并按照下列安裝指南進(jìn)行操作。
PCB設(shè)計(jì)指導(dǎo)
(1)理想情況下,機(jī)械蜂鳴器應(yīng)安裝在一個獨(dú)立于晶體器件的PCB板上。如果您安裝在同一個PCB板上,最好使用余量或切割PCB。當(dāng)應(yīng)用于PCB板本身或PCB板體內(nèi)部時,機(jī)械振動程度有所不同。建議遵照內(nèi)部板體特性。
(2)在設(shè)計(jì)時請參考相應(yīng)的推薦封裝。
(3)在使用焊料助焊劑時,按JIS標(biāo)準(zhǔn)(JIS C 60068-2-20/IEC 60,068-2-20).來使用。
(4)請按JIS標(biāo)準(zhǔn)(JIS Z 3282, Pb 含量 1000ppm, 0.1wt% 或更少)來使用無鉛焊料。
存儲事項(xiàng)
(1)在更高或更低溫度或高濕度環(huán)境下長時間保存晶體產(chǎn)品時,會影響頻率穩(wěn)定性或焊接性。請?jiān)谡囟群蜐穸拳h(huán)境下保存這些晶體產(chǎn)品,并在開封后盡可能進(jìn)行安裝,以免長期儲藏。
正常溫度和濕度:
溫度:+15°C 至 +35°C,濕度 25 % RH 至 85 % RH(請參閱“測試點(diǎn)JIS C 60068-1 / IEC 60068-1的標(biāo)準(zhǔn)條件”章節(jié)內(nèi)容)。
(2)請仔細(xì)處理內(nèi)外盒與卷帶。外部壓力會導(dǎo)致卷帶受到損壞。

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設(shè)計(jì)振蕩回路的注意事項(xiàng)
1.驅(qū)動能力
驅(qū)動能力說明振蕩晶體單元所需電功率,其計(jì)算公式如下:
驅(qū)動能力 (P) = i2?Re
其中i表示經(jīng)過晶體單元的電流,
Re表示晶體單元的有效電阻,而且 Re=R1(1+Co/CL)2。

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2.振蕩補(bǔ)償
除非在振蕩電路中提供足夠的負(fù)極電阻,否則會增加振蕩啟動時間,或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生,請?jiān)陔娐吩O(shè)計(jì)時提供足夠的負(fù)極電阻。

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3.負(fù)載電容
如果振蕩電路中負(fù)載電容的不同,可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差,如下圖所示。電路中的負(fù)載電容的近似表達(dá)式 CL≒CG × CD / (CG+CD) + CS。
其中CS表示電路的雜散電容。

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頻率和負(fù)載電容特征圖器

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振蕩回路參數(shù)設(shè)置參考

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