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首頁 ACT晶振

TCSW53溫補(bǔ)晶體振蕩器,艾西迪晶振,TC532400MBXNBXXZL-PF[24MHz]晶振

TCSW53溫補(bǔ)晶體振蕩器,艾西迪晶振,TC532400MBXNBXXZL-PF[24MHz]晶振TCSW53溫補(bǔ)晶體振蕩器,艾西迪晶振,TC532400MBXNBXXZL-PF[24MHz]晶振

產(chǎn)品簡介

5032mm體積的石英晶體振蕩器,有源晶振,該產(chǎn)品可驅(qū)動2.5V的溫補(bǔ)晶振,壓控晶振,VC-TCXO晶體振蕩器產(chǎn)品,電源電壓的低電耗型,編帶包裝方式,可對應(yīng)自動高速貼片機(jī)自動焊接,及IR回流焊接(無鉛對應(yīng)),為無鉛產(chǎn)品,超小型,質(zhì)地輕.產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用到集成電路,程控交換系統(tǒng),無線發(fā)射基站.

產(chǎn)品詳情

全球分銷網(wǎng)絡(luò),作為discoverIE Group plc的一部分,通過我們的獨(dú)立分銷合作伙伴,ACT晶振可以在全球范圍內(nèi)支持您的頻率控制要求。
我們不僅僅是頻率控制,以工程為主導(dǎo)的技術(shù)支持
定制設(shè)計(jì)/非標(biāo)準(zhǔn)頻率,石英晶振和微控制器匹配服務(wù)
樣品庫存,位于英國的內(nèi)部技術(shù)實(shí)驗(yàn)室
廣泛而成熟的全球分銷網(wǎng)絡(luò),全面的售后支持
庫存管理
通過ISO9001和TS16949認(rèn)證,靈活性 - 快速周轉(zhuǎn)時間,低MOQ
廣泛的產(chǎn)品
無論您需要新技術(shù),如M-SAC增強(qiáng)型貼片振蕩器,還是簡單的基本石英晶振,我們的工程團(tuán)隊(duì)都將幫助您為您的應(yīng)用選擇合適的解決方案,并在整個設(shè)計(jì)周期和生產(chǎn)過程中為您提供支持。

ACT晶振公司除了石英晶體水晶組件,同時量產(chǎn)LC濾波器,SAW,實(shí)時時鐘,陶瓷電子和天線等產(chǎn)品,但頻率元件一直都是艾西迪晶振公司最重要的模塊,除此之外,陶瓷諧振器,SMD晶振等都深受各大知名企業(yè)的歡迎。

5032mm體積的石英晶體振蕩器,有源晶振,該產(chǎn)品可驅(qū)動2.5V的溫補(bǔ)晶振,壓控晶振,VC-TCXO晶體振蕩器產(chǎn)品,電源電壓的低電耗型,編帶包裝方式,可對應(yīng)自動高速貼片機(jī)自動焊接,及IR回流焊接(無鉛對應(yīng)),為無鉛產(chǎn)品,超小型,質(zhì)地輕.產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用到集成電路,程控交換系統(tǒng),無線發(fā)射基站.

Parameters Specification Remarks
Frequencyrange F_nom 10.0MHz~52.0MHz
Supplyvoltage Vcc 2.5V,3.0V,3.3V,5.0V
Initialfrequencytolerance F_tol <±1.0ppm At+25°C±2°C
Frequencystability vsTemperature F_stb ±0.5ppm~±3.0ppm Table1
vsLoad F_load ±0.2ppmmax ±10%loadconditionchange
vsVoltage F_Vcc ±0.2ppmmax ±5%inputvoltagechange
vsAging F_age ±1.0ppm/yearmax At+25°C
vsReflow ±1.0ppm/yearmax 1reflowandmeasuredafter24hrs
Operatingtemperaturerange(°C) Topr 0°C~+50°Cto‐40°C~+85°C Table1
Storagetemperature(°C) Tstg ‐55°C~+125°C
Outputwaveform Clippedsinewave
Outputvoltagelevel 0.8Vp‐pmin
Outputload 10K?//10pF
Outputformat RequireexternalDCblockcapacitor
Currentconsumption Icc 10.0~15MHz:1.5mA,15.01~26.0MHz:2.0mA
26.01~40.0MHz:2.5mA
Start‐uptime T_str 2.0msec(typical),5.0msec.(Max) Reach90%amplitudeat+25°C±2°C
VC‐TCXOoptiononly
Controlvoltage Vc 2.5V:1.4V±1.0V;3.3V:1.5V±1.0V
3.0V:1.5V±1.0V;5.0V:1.5V±1.0V
Frequencytuning(ppm) ±5.0ppm
Linearity/Slopepolarity ±10.0%max/Positiveslope Positivevoltageforpositivefrequencyshift
Inputimpedance 1.0MΩmin
Modulationbandwidth 3.0kHzmin
ESDsensitivedevice,moisturesensitivelevel(MSL)1

TCSW53 尺寸

抗沖擊
晶振可能會在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落或在貼裝過程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過沖擊請勿使用。
暴露于輻射環(huán)境會導(dǎo)致貼片石英晶振性能受到損害,因此應(yīng)避免照射。
化學(xué)制劑/pH值環(huán)境
請勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲藏這些產(chǎn)品。
粘合劑
請勿使用可能導(dǎo)致貼片晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。 (比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶體單元的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能。)
鹵化合物
請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用貼片晶振。即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕。同時,請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂。
靜電
過高的靜電可能會損壞進(jìn)口有源晶振,請注意抗靜電條件。請為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料。在處理的時候,請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進(jìn)行接地操作。

TCSW53 11

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