自從歐盟頒布各項(xiàng)綠色環(huán)保指令（如RoHS）后,世界各國(guó)已陸續(xù)制定公布相關(guān)之法令規(guī)章,推動(dòng)「綠色產(chǎn)品」的發(fā)展.泰藝電子為了對(duì)環(huán)境與人類貢獻(xiàn)一己之力,導(dǎo)入綠色設(shè)計(jì)之概念,致力生產(chǎn)符合國(guó)際綠色環(huán)保指令與客戶特殊要求有源晶振,壓控振蕩器,貼片晶振.我們知道,人類的永續(xù)發(fā)展需要干凈的環(huán)境,如果我們產(chǎn)品中的物質(zhì)會(huì)對(duì)環(huán)境造成污染,影響到人類生存的基本條件,不論產(chǎn)品的功能再先進(jìn)再齊全,也無(wú)法對(duì)環(huán)境與社會(huì)帶來多大的幫助.為追求生產(chǎn)綠色產(chǎn)品之目標(biāo),將環(huán)保理念納入采購(gòu)流程中,采購(gòu)人員于收集市場(chǎng)資訊時(shí),優(yōu)先提供符合「泰藝電子無(wú)有害物質(zhì)管理作業(yè)標(biāo)準(zhǔn)」之材料相關(guān)資訊予產(chǎn)品設(shè)計(jì)人員參考,并依其要求提供符合規(guī)范之樣品與規(guī)格.原材物料承認(rèn)時(shí),采購(gòu)人員須請(qǐng)供應(yīng)商填寫公司提供之問卷表單及相關(guān)RoHS檢測(cè)報(bào)告,經(jīng)原材物料相關(guān)審驗(yàn)單位審查通過后,方可使用.
石英晶振真空退火技術(shù)：晶振高真空退火處理是消除貼片晶振在加工過程中產(chǎn)生的應(yīng)力及輕微表面缺陷。在PLC控制程序中輸入已設(shè)計(jì)好的溫度曲線，使真空室溫度跟隨設(shè)定曲線對(duì)晶體組件進(jìn)行退火，石英晶振通過合理的真空退火技術(shù)可提高晶振主要參數(shù)的穩(wěn)定性，以及提高石英晶振的年老化特性。晶振的真空封裝技術(shù)：是指石英晶振在真空封裝區(qū)域內(nèi)進(jìn)行封裝。1.防止外界氣體進(jìn)入組件體內(nèi)受到污染和增加應(yīng)力的產(chǎn)生；2.使晶振組件在真空下電阻減??；3.氣密性高。此技術(shù)為研發(fā)及生產(chǎn)超小型、超薄型石英晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一。
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泰藝晶振規(guī)格 |
單位 |
XN晶振 |
石英晶振基本條件 |
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標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
f_nom |
32.768KHZ |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
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儲(chǔ)存溫度 |
T_stg |
-55°C~+125°C |
裸存 |
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工作溫度 |
T_use |
-40°C~+85°C |
標(biāo)準(zhǔn)溫度 |
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激勵(lì)功率 |
DL |
0.1μW Max. |
推薦:1μW～100μW |
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頻率公差 |
f_— l |
±20 × 10-6(標(biāo)準(zhǔn)), |
+25°C對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, |
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頻率溫度特征 |
f_tem |
±20 × 10-6/-40°C~+85°C |
超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們. |
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負(fù)載電容 |
CL |
9pF、12.5PF |
超出標(biāo)準(zhǔn)說明,請(qǐng)聯(lián)系我們. |
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串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C,DL = 100μW |
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頻率老化 |
f_age |
±3× 10-6/ year Max. |
+25°C,第一年 |
耐焊性：將晶振加熱包裝材料至+150°C以上會(huì)破壞產(chǎn)品特性或損害產(chǎn)品。如需在+150°C以上焊接石英晶振,建議使用SMD晶振產(chǎn)品。在下列回流條件下,對(duì)石英晶振產(chǎn)品甚至SMD貼片晶振使用更高溫度,會(huì)破壞晶振特性。建議使用下列配置情況的回流條件。安裝這些貼片晶振之前,應(yīng)檢查焊接溫度和時(shí)間。同時(shí),在安裝條件更改的情況下,請(qǐng)?jiān)俅芜M(jìn)行檢查。如果需要焊接的晶振產(chǎn)品在下列配置條件下進(jìn)行焊接,請(qǐng)聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關(guān)信息。泰藝晶振,貼片晶振,XN晶振,石英晶體諧振器
無(wú)源晶振自動(dòng)安裝和真空化引發(fā)的沖擊會(huì)破壞產(chǎn)品特性并影響這些產(chǎn)品。請(qǐng)?jiān)O(shè)置安裝條件以盡可能將沖擊降至最低,并確保在安裝前未對(duì)晶振特性產(chǎn)生影響。條件改變時(shí),請(qǐng)重新檢查安裝條件。同時(shí),在安裝前后,請(qǐng)確保石英晶振產(chǎn)品未撞擊機(jī)器或其他電路板等。
每個(gè)封裝類型的注意事項(xiàng)陶瓷晶振與SON產(chǎn)品:在焊接陶瓷封裝晶振和SON產(chǎn)品 (陶瓷包裝是指晶振外觀采用陶瓷制品) 之后,彎曲電路板會(huì)因機(jī)械應(yīng)力而導(dǎo)致焊接部分剝落或封裝分裂（開裂）。尤其在焊接這些產(chǎn)品之后進(jìn)行電路板切割時(shí),務(wù)必確保在應(yīng)力較小的位置布局晶體并采用應(yīng)力更小的切割方法。
此外，振蕩頻率與測(cè)量點(diǎn)不同。1。測(cè)量32.768K石英晶體緩沖輸出2。振蕩級(jí)輸出測(cè)量三.通過電容器測(cè)量振蕩級(jí)輸出圖5示出以上1-3個(gè)測(cè)量點(diǎn)和所測(cè)量的除緩沖器輸出外，振蕩頻率較低。泰藝晶振,貼片晶振,XN晶振,石英晶體諧振器
負(fù)載電容:如果振蕩電路中負(fù)載電容的不同，可能導(dǎo)致音叉晶振32.768K振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差，如下圖所示。電路中的負(fù)載電容的近似表達(dá)式 CL≒CG × CD / （CG+CD） + CS。其中CS表示電路的雜散電容。
32.768K晶振測(cè)試條件:(1) 電源電壓? 超過 150µs，直到電壓級(jí)別從 0 %達(dá)到 90 % 。? 電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2) 其他:? 輸入電容低于 15 pF? 5倍頻率范圍或更多測(cè)量頻率。? 鉛探頭應(yīng)盡可能短。? 測(cè)量頻率時(shí)，探頭阻抗將高于 1MΩ。當(dāng)波形經(jīng)過振蕩器的放大器時(shí)，可同時(shí)進(jìn)行測(cè)量。(3) 其他:? CL包含探頭電容。? 應(yīng)使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。? 使用微型插槽，以觀察波形。（請(qǐng)勿使用該探頭的長(zhǎng)接地線。）
探針不影響圖2，因?yàn)榫彌_器的輸出是通過輸入振蕩電路的輸出來測(cè)量的。逆變器進(jìn)入下一階段。探針不影響圖3，因?yàn)樵贗C上測(cè)量緩沖器輸出（1/1、1/2等）。圖4示出了32.768KHZ晶振來自ic的無(wú)緩沖器輸出接收的情況，由此通過小尺寸測(cè)量來最小化探針的效果。輸出點(diǎn)之間的電容（3 pF以下XTAL終端IC）和探針。然而，應(yīng)該注意到，使用這種方法輸出波形較小，測(cè)量不能依賴于即使示波器能檢查振蕩波形，頻率計(jì)數(shù)器的靈敏度也可以。在這種情況下，使用放大器來測(cè)量。
鴻星晶振,貼片晶振,ETST晶振,無(wú)源石英晶振
TXC晶振,貼片晶振,9HT10晶振,石英晶振