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ACT英國(guó)晶振,TCSW75LC石英晶體振蕩器,TC75L1600MBXNBXXZL-PF[16MHz]晶振

頻率：10~40MHZ

尺寸：7.0*5.0mm

小型SMD有源晶振,從最初超大體積到現(xiàn)在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm體積,有著翻天覆地的改變,體積的變小也使產(chǎn)品帶來(lái)了更高的穩(wěn)定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點(diǎn),SMD高速自動(dòng)安裝和高溫回流焊設(shè)計(jì),Optionable待機(jī)輸出三態(tài)輸出功能,電源電壓范圍:1.8V~5V,高穩(wěn)定性,低抖動(dòng),低功耗,主要應(yīng)用領(lǐng)域:無(wú)線通訊,高端智能手機(jī),平板筆記本W(wǎng)LAN,藍(lán)牙,數(shù)碼相機(jī),DSL和其他IT產(chǎn)品的晶振應(yīng)用,三態(tài)功能,PC和LCDM等高端數(shù)碼領(lǐng)域,符合RoHS/無(wú)鉛.

訂購(gòu)熱線：0755-27837162

ACT英國(guó)晶振,TCSW75LC石英晶體振蕩器,TC75L1600MBXNBXXZL-PF[16MHz]晶振，ACT艾西迪晶振與Esterline研究和設(shè)計(jì)（ERD）的合作使我們能夠突破高精度貼片振蕩器技術(shù)的界限。這些突破性產(chǎn)品為石英晶振，TCXO溫補(bǔ)晶體振蕩器和OCXO設(shè)立了新標(biāo)準(zhǔn)，創(chuàng)造了當(dāng)今市場(chǎng)上性能最高，最精確的振蕩器技術(shù)。
ACT英國(guó)晶振,TCSW75LC石英晶體振蕩器,TC75L1600MBXNBXXZL-PF[16MHz]晶振，無(wú)論您需要新技術(shù)，如M-SAC增強(qiáng)型振蕩器，還是簡(jiǎn)單的基本石英晶振，艾西迪晶振的工程團(tuán)隊(duì)都將幫助您為您的應(yīng)用選擇合適的解決方案，并在整個(gè)設(shè)計(jì)周期和生產(chǎn)過(guò)程中為您提供支持。憑借30多年的頻率控制專業(yè)知識(shí)，我們很高興能夠應(yīng)對(duì)您的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)和產(chǎn)品需求。

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貼片晶振晶片邊緣處理技術(shù)：貼片晶振是晶片通過(guò)滾筒倒邊，主要是為了去除晶振晶片的邊緣效應(yīng)，在實(shí)際操作中機(jī)器運(yùn)動(dòng)方式設(shè)計(jì)、滾筒的曲率半徑、滾筒的長(zhǎng)短、使用的研磨砂的型號(hào)、多少、填充物種類及多少等各項(xiàng)設(shè)計(jì)必須合理，有一項(xiàng)不完善都會(huì)使SMD晶振晶片的邊緣效應(yīng)不能去除，而石英晶振晶片的諧振電阻過(guò)大，用在電路中Q值過(guò)小，從而電路不能振動(dòng)或振動(dòng)了不穩(wěn)定。

Specification

Frequency range

F_nom

10.0MHz ~ 40.0MHz

Supply voltage

Vcc

3.3V, 5.0V

Initial frequency tolerance

F_tol

<±1.0ppm

At +25°C±2°C

Frequency stability

vs Temperature

F_stb

±0.5ppm ~ ±3.0ppm

Table 1

vs Load

F_load

±0.2ppm max

±10% load condition change

vs Voltage

F_Vcc

±0.2ppm max

±5% input voltage change

vs Aging

F_age

±1.0ppm/year max

At +25°C

vs Reflow

±1.0ppm/year max

1 reflow and measured after 24hrs

Operating temperature range (°C)

Topr

0°C ~ +50°C to ‐40°C ~ +85°C

Table 1

Storage temperature (°C)

Tstg

‐55°C ~ +125°C

Output wave form

Clipped sine wave

Output voltage level

0.8V p‐ p (min)

Output load

10K?//10pF

Output format

DC block, AC coupled

Current consumption

Icc

10.0~15MHz: 1.5mA, 15.01~26.0MHz: 2.0mA

26.01~40.0MHz: 2.5mA

Start‐ up time

T_str

2.0m sec (typ.), 5.0m sec. (max)

Reach 90% amplitude at +25°C±2°C

VC‐TCXO option only

Control Voltage

1.5V ± 1.0V

For both Vcc = 3.3V and 5.0V

Frequency tuning (ppm)

±5.0ppm

Linearity/Slope polarity

±10.0% max/Positive slope

Positive voltage for positive frequency shift

Input impedance

1.0MΩ min

Modulation bandwidth

3.0kHz min

抗沖擊
  晶振可能會(huì)在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落或在貼裝過(guò)程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過(guò)沖擊請(qǐng)勿使用。
  暴露于輻射環(huán)境會(huì)導(dǎo)致石英貼片晶振晶體性能受到損害，因此應(yīng)避免照射。
化學(xué)制劑/pH值環(huán)境
  請(qǐng)勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲(chǔ)藏這些產(chǎn)品。ACT英國(guó)晶振,TCSW75LC石英晶體振蕩器,TC75L1600MBXNBXXZL-PF[16MHz]晶振.
粘合劑
請(qǐng)勿使用可能導(dǎo)致SMD晶振所用的封裝材料，終端，組件，玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。（比如，氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶體單元的金屬“蓋”，從而破壞密封質(zhì)量，降低性能。）
鹵化合物
  請(qǐng)勿在鹵素氣體環(huán)境下使用貼片石英晶振。即使少量的鹵素氣體，比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi)，都可能產(chǎn)生腐蝕。同時(shí)，請(qǐng)勿使用任何會(huì)釋放出鹵素氣體的樹脂。
靜電
過(guò)高的靜電可能會(huì)損壞進(jìn)口有源晶振，請(qǐng)注意抗靜電條件。請(qǐng)為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料。在處理的時(shí)候，請(qǐng)使用電焊槍和無(wú)高電壓泄漏的測(cè)量電路，并進(jìn)行接地操作。