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FMI晶振,FMXMC15S晶振,FMXMC15S12FC-32.768KTR晶振

頻率：32.768KHZ

尺寸：3.2*1.5mm

32.768K晶振具有小型,薄型,輕型的貼片晶振表面音叉型晶體振蕩器,產(chǎn)品具有優(yōu)良的耐熱性,耐環(huán)境特性,可發(fā)揮晶振優(yōu)良的電氣特性,符合RoHS規(guī)定,滿足無(wú)鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求,金屬外殼的封裝使得產(chǎn)品在封裝時(shí)能發(fā)揮比陶瓷振蕩器外殼更好的耐沖擊性.

訂購(gòu)熱線：0755-27837162

FMI晶振,FMXMC15S晶振,FMXMC15S12FC-32.768KTR晶振，F(xiàn)MI晶振作為標(biāo)準(zhǔn)通信公司的專屬供應(yīng)商,我們成立于1971年,30多年來(lái),我們一直為通信市場(chǎng)提供快速交付和嚴(yán)格公差,石英晶體和晶體振蕩器.1992年,頻率管理已擴(kuò)展到OEM市場(chǎng). FMI,頻率管理國(guó)際,成立的目的是為各種行業(yè)的各種電子系統(tǒng)應(yīng)用提供頻率和時(shí)序控制的工程解決方案.

FMI晶振是一家真正以解決方案為導(dǎo)向的美國(guó)制造商.我們目前為各種細(xì)分市場(chǎng)提供晶振產(chǎn)品,我們的產(chǎn)品包括通信晶體、微處理器晶體和手表晶體。應(yīng)用包括計(jì)算機(jī)外圍設(shè)備、工業(yè)儀器、石油鉆井、地?zé)?、商業(yè)空間、LAN/WAN、光網(wǎng)絡(luò)、過(guò)程控制、電信和無(wú)線產(chǎn)品。我們?yōu)樯虡I(yè)、工業(yè)、軍事、高可靠性（高可靠性）、高溫和堅(jiān)固應(yīng)用提供各種標(biāo)準(zhǔn)和定制石英晶體。FMI晶振,FMXMC15S晶振,FMXMC15S12FC-32.768KTR晶振.

FMI晶振,FMXMC15S晶振,FMXMC15S12FC-32.768KTR晶振，作為美國(guó)國(guó)內(nèi)制造商,我們擁有必要的生產(chǎn),工程和物流資源,以支持您對(duì)石英晶體和晶體振蕩器的設(shè)計(jì),原型和制造需求.我們的工業(yè)和高可靠性應(yīng)用產(chǎn)品范圍從高可靠性石英晶振和時(shí)鐘振蕩器到VCTCXO和鎖相源.我們的產(chǎn)品提供傳統(tǒng)的通孔封裝和表面貼裝(SMD)封裝,包括最小的封裝.設(shè)計(jì),生產(chǎn)和質(zhì)量流程是我們所有工業(yè)和高可靠性產(chǎn)品系列中固有的,包括用于井下應(yīng)用,工業(yè)應(yīng)用以及太空應(yīng)用的產(chǎn)品.

Parameter	Specification
Frequency	32.768 kHz
Load Capacitance (CL)	12.5 pF
Frequency Tolerance	±20 ppm or ±50 ppm @ +25°C
Turnover Temperature	+25°C ppm ±5°C
Temperature (Parabolic) Coefficient	-0.04 ±0.01) X 10-6/ºC2
Operating Temperature	-40 to +85°C
Storage Temperature	-55 to +125°C
Equivalent Series Resistance (ESR)	90 KΩ max
Drive Level	0.5 µW max
Shunt Capacitance (C0)	1.4 pF typical
Motional Capacitance (C1)	6.0 fF typical
Insulation Resistance (IR)	500 MΩ min
Aging @ +25°C	±3 ppm first year max

抗沖擊
  晶振可能會(huì)在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落或在貼裝過(guò)程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過(guò)沖擊請(qǐng)勿使用。
輻射
  暴露于輻射環(huán)境會(huì)導(dǎo)致貼片晶振性能受到損害，因此應(yīng)避免照射。FMI晶振,FMXMC15S晶振,FMXMC15S12FC-32.768KTR晶振.
化學(xué)制劑/pH值環(huán)境
  請(qǐng)勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲(chǔ)藏這些產(chǎn)品。
粘合劑
請(qǐng)勿使用可能導(dǎo)致SMD無(wú)源晶振所用的封裝材料，終端，組件，玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。（比如，氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶體單元的金屬“蓋”，從而破壞密封質(zhì)量，降低性能。）
鹵化合物
  請(qǐng)勿在鹵素氣體環(huán)境下使用無(wú)源貼片晶振。即使少量的鹵素氣體，比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi)，都可能產(chǎn)生腐蝕。同時(shí)，請(qǐng)勿使用任何會(huì)釋放出鹵素氣體的樹脂。
靜電
過(guò)高的靜電可能會(huì)損壞石英晶體諧振器，請(qǐng)注意抗靜電條件。請(qǐng)為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料。在處理的時(shí)候，請(qǐng)使用電焊槍和無(wú)高電壓泄漏的測(cè)量電路，并進(jìn)行接地操作。