泰藝石英晶振公司秉持「質(zhì)量至上、創(chuàng)新思維、誠(chéng)信為本、服務(wù)第一」的四大經(jīng)營(yíng)理念持續(xù)不斷努力革新,強(qiáng)化現(xiàn)有體質(zhì)與創(chuàng)新機(jī)制以創(chuàng)造更高的客戶價(jià)值.清楚知道自身對(duì)于同仁、環(huán)境、社會(huì)及合作伙伴們所肩負(fù)的責(zé)任與義務(wù),相信透過(guò)信息公開(kāi)與揭露CSR報(bào)告書(shū),對(duì)建立一個(gè)平衡與和諧的利害關(guān)系人良性互動(dòng)網(wǎng)絡(luò)有幫助,更能促進(jìn)企業(yè)健康穩(wěn)定的成長(zhǎng).
泰藝石英晶振在選用晶片時(shí)應(yīng)注意溫度范圍、無(wú)源晶振溫度范圍內(nèi)的頻差要求,貼片晶振溫度范圍寬時(shí)(-40℃-85℃)晶振切割角度比窄溫(-10℃-70℃)切割角度應(yīng)略高。對(duì)于晶振的條片,長(zhǎng)邊為 X 軸,短邊為 Z 軸,面為 Y 軸。
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泰藝晶振規(guī)格 |
單位 |
X3晶振 |
石英晶振基本條件 |
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標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
f_nom |
27.000MHZ |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
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儲(chǔ)存溫度 |
T_stg |
-40°C~+125°C |
裸存 |
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工作溫度 |
T_use |
-40°C~+105°C |
標(biāo)準(zhǔn)溫度 |
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激勵(lì)功率 |
DL |
100μW Max. |
推薦:1μW~100μW |
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頻率公差 |
f_— l |
±20 × 10-6(標(biāo)準(zhǔn)) |
+25°C對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說(shuō)明, |
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頻率溫度特征 |
f_tem |
±20 × 10-6/-40°C~+85°C |
超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們. |
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負(fù)載電容 |
CL |
20PF |
超出標(biāo)準(zhǔn)說(shuō)明,請(qǐng)聯(lián)系我們. |
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串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C,DL = 100μW |
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頻率老化 |
f_age |
±3× 10-6/ year Max. |
+25°C,第一年 |
(1)使用AT-切割晶體和表面聲波(SAW)諧振器/聲表面濾波器的產(chǎn)品,可以通過(guò)超聲波進(jìn)行清洗。但是,在某些條件下, 晶體特性可能會(huì)受到影響,而且內(nèi)部線路可能受到損壞。確保已事先檢查系統(tǒng)的適用性。
(2)使用音叉晶體和陀螺儀傳感器的產(chǎn)品無(wú)法確保能夠通過(guò)超聲波方法進(jìn)行清洗,因?yàn)榫w可能受到破壞。
(3)請(qǐng)勿清洗開(kāi)啟式產(chǎn)品
(4)對(duì)于可清洗產(chǎn)品,應(yīng)避免使用可能對(duì)石英水晶諧振器產(chǎn)生負(fù)面影響的清洗劑或溶劑等。
(5)焊料助焊劑的殘留會(huì)吸收水分并凝固。這會(huì)引起諸如位移等其它現(xiàn)象。這將會(huì)負(fù)面影響晶振的可靠性和質(zhì)量。請(qǐng)清理殘余的助焊劑并烘干PCB。
操作
請(qǐng)勿用鑷子或任何堅(jiān)硬的工具,夾具直接接觸IC的表面。
使用環(huán)境(溫度和濕度)
請(qǐng)?jiān)谝?guī)定的溫度范圍內(nèi)使用耐高溫晶振。這個(gè)溫度涉及本體的和季節(jié)變化的溫度。在高濕環(huán)境下,會(huì)由于凝露引起故障。請(qǐng)避免凝露的產(chǎn)生。泰藝晶振,貼片石英晶振,X3晶振
設(shè)計(jì)振蕩回路的注意事項(xiàng)
1.驅(qū)動(dòng)能力
驅(qū)動(dòng)能力說(shuō)明振蕩1.6*1.2小型無(wú)源晶振所需電功率,其計(jì)算公式如下:
驅(qū)動(dòng)能力 (P) = i2?Re
其中i表示經(jīng)過(guò)晶體單元的電流,
Re表示晶體單元的有效電阻,而且 Re=R1(1+Co/CL)2。泰藝晶振,貼片石英晶振,X3晶振
2.振蕩補(bǔ)償
除非在振蕩電路中提供足夠的負(fù)極電阻,否則會(huì)增加1612貼片晶振振蕩啟動(dòng)時(shí)間,或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生,請(qǐng)?jiān)陔娐吩O(shè)計(jì)時(shí)提供足夠的負(fù)極電阻。
3. 負(fù)載電容
如果振蕩電路中負(fù)載電容的不同,可能導(dǎo)致進(jìn)口泰藝原裝正品振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差,如下圖所示。電路中的負(fù)載電容的近似表達(dá)式 CL≒CG × CD / (CG+CD) + CS。
其中CS表示電路的雜散電容。
頻率和負(fù)載電容特征圖器
振蕩回路參數(shù)設(shè)置參考



瑞康晶振,石英晶振,RSX1612晶振
鴻星晶振,石英晶體諧振器,ETAB晶振
ECS晶體,貼片晶振,ECX-1247晶振,小體積石英晶振
AEL晶振,貼片晶振,125302晶振,進(jìn)口無(wú)源晶振
ELM12W-38.000MHz-6-R120-D7X-T|1612mm|38MHz|6pf
SXT11410AA38-32.000M,10pf,-30~85°C,SUNTSU晶振
X3AEEJNANF-26.000000-臺(tái)灣Taitien晶振-1612mm-26MHz
8Q-37.400MEEV-T,1612mm,37.4MHz,超小型石英晶振
MERCURY晶振,1612mm,X11-26.000-16-30/30Y/20R,6G無(wú)線網(wǎng)絡(luò)晶振
NKG Crystal,S1M24.0000F18E1Y-EXT,1612mm晶振,6G移動(dòng)通信晶振