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首頁 泰藝晶振

泰藝晶振,XN晶振,7015晶振,8038晶振

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產(chǎn)品簡介

32.768K時鐘晶體具有小型,薄型,輕型的貼片晶振表面音叉型晶體諧振器,產(chǎn)品具有優(yōu)良的耐熱性,耐環(huán)境特性,可發(fā)揮晶振優(yōu)良的電氣特性,符合RoHS規(guī)定,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.

產(chǎn)品詳情

TY-2

泰藝石英晶振公司自公司成立以來,秉持對環(huán)境保護承諾之宣言:『還給后代一個干凈的地球』,所有活動應遵從以下政策:
1. 晶振,石英晶振,有源晶振,壓控晶振自設計階段至成品完成后之服務即應考察該產(chǎn)品對環(huán)境產(chǎn)生之沖擊,避免使用會造成污染之原物料及制程;對污染之防治應從根源解決問題,以《不產(chǎn)生、不使用》為最高指導原則.
2.若無法避免需產(chǎn)生或使用時,應管制單位產(chǎn)生量及使用量,做持續(xù)性之追蹤管制、改進并制定預防方案或是降低污染量,水電等消耗性(能)資源使用,應從系統(tǒng)研究改善使用效率,以達成節(jié)約能源之目標.
3.公司所有活動皆遵循環(huán)保法規(guī)及承諾,作好SMD晶振綠色設計與生產(chǎn)以及污染預防,減少使用危害環(huán)境的原物料,積極節(jié)約材料資源,降低對整體環(huán)境沖擊的影響,實施相關預防矯正、持續(xù)改善作業(yè),落實與維護環(huán)境保護,響應全球環(huán)保運動.
4.藉由環(huán)境稽核確認環(huán)境改善績效,使公司所有活動過程均能達成環(huán)境目標及標的,并期望透過全體員工共同努力,貢獻愛護地球的一份心力.

JLX-1

TY-1

泰藝晶振,XN晶振,7015晶振,8038晶振.小型表面貼片晶振型,是標準的石英晶體諧振器,適用于寬溫范圍的電子數(shù)碼產(chǎn)品,智能手機,智能手環(huán),家電電器及MP3,MP4,播放器,單片機等領域.32.768K系列晶振具有超小型,薄型,質地輕的表面貼片音叉型石英晶體諧振器,晶振產(chǎn)品本身具備優(yōu)良的耐熱性,耐環(huán)境特性.
泰藝石英晶振離子刻蝕調(diào)頻技術:比目前一般使用的真空蒸鍍方式調(diào)頻,主要在產(chǎn)品參數(shù)有以下提升:1.微調(diào)后調(diào)整頻率能控制在±2ppm,一般只能保持在±5ppm;2.產(chǎn)品的激勵功率相關性參數(shù)有大幅提升;3.產(chǎn)品的長期老化率可保證在±3ppm之內(nèi).

JLX-2

RB-2

泰藝晶振規(guī)格

單位

XN晶振

石英晶振基本條件

標準頻率

f_nom

32.768KHZ

標準頻率

儲存溫度

T_stg

-55°C~+125°C

裸存

工作溫度

T_use

-40°C~+85°C

標準溫度

激勵功率

DL

0.1μW Max.

推薦:1μW100μW

頻率公差

f_— l

±20 × 10-6(標準),

+25°C對于超出標準的規(guī)格說明,
請聯(lián)系我們以便獲取相關的信息,http://m.jftz888.com/

頻率溫度特征

f_tem

±20 × 10-6/-40°C~+85°C

超出標準的規(guī)格請聯(lián)系我們.

負載電容

CL

9pF、12.5PF

超出標準說明,請聯(lián)系我們.

串聯(lián)電阻(ESR)

R1

如下表所示

-40°C — +85°C,DL = 100μW

頻率老化

f_age

±3× 10-6/ year Max.

+25°C,第一年

JLX-3

RB-3

XN 6914XN 8038

JLX-4

RB-4

抗沖擊
貼片晶振可能會在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落或在貼裝過程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過沖擊請勿使用。
輻射
暴露于輻射環(huán)境會導致石英晶體諧振器性能受到損害,因此應避免照射。泰藝晶振,XN晶振,7015晶振,8038晶振
化學制劑 / pH值環(huán)境
請勿在PH值范圍可能導致腐蝕或溶解進口晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲藏這些產(chǎn)品。
粘合劑
請勿使用可能導致進口貼片晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。 (比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶體單元的金屬“蓋”,從而破壞密封質量,降低性能。)
鹵化合物
請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用無源晶振。即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕。同時,請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂。
靜電
過高的靜電可能會損壞無源晶振,請注意抗靜電條件。請為容器和封裝材料選擇導電材料。在處理的時候,請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進行接地操作。

JLX-5

RB-5

設計振蕩回路的注意事項
1.驅動能力
驅動能力說明振蕩晶體單元所需電功率,其計算公式如下:
驅動能力 (P) = i2?Re
其中i表示經(jīng)過晶體單元的電流,
Re表示小體積貼片晶振單元的有效電阻,而且 Re=R1(1+Co/CL)2。

sjzrhl_1

2.振蕩補償
除非在8038貼片晶振振蕩電路中提供足夠的負極電阻,否則會增加振蕩啟動時間,或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生,請在電路設計時提供足夠的負極電阻。

sjzrhl_2

3. 負載電容
如果32.768K手機晶振振蕩電路中負載電容的不同,可能導致振蕩頻率與設計頻率之間產(chǎn)生偏差,如下圖所示。電路中的負載電容的近似表達式 CL≒CG × CD / (CG+CD) + CS。
其中CS表示電路的雜散電容。泰藝晶振,XN晶振,7015晶振,8038晶振

sjzrhl_3

頻率和負載電容特征圖器

sjzrhl_4

振蕩回路參數(shù)設置參考

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