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VCXO壓控晶振,GVXO-753F/SC-8.192MHz,高利奇晶振,GVXO-753F晶振,7050振蕩器

頻率：8.192MHz

尺寸：7.0 x 5.0 x 1.8 mm

VCXO壓控晶振,GVXO-753F/SC-8.192MHz,高利奇晶振,GVXO-753F晶振,7050振蕩器 6 焊盤 GVXO-753F 為批量應(yīng)用提供高性價(jià)比的 3.3V VCXO 解決方案，還具有內(nèi)置的啟用/禁用三態(tài)功能。GVXO-753F 還允許選擇頻率穩(wěn)定性和拉力選項(xiàng)，并提供 -40 至 +85°C 的工業(yè)工作溫度范圍，使其成為一系列大批量應(yīng)用的理想 VCXO 解決方案。

訂購熱線：0755-27837162

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VCXO壓控晶振,GVXO-753F/SC-8.192MHz,高利奇晶振,GVXO-753F晶振,7050振蕩器

Golledge晶振是頻率控制產(chǎn)品的領(lǐng)先供應(yīng)商，產(chǎn)品包括全球電子行業(yè)的石英晶體、振蕩器、TCXO晶振、VCXO、OCXO、RTC 模塊、晶體濾波器、SAW 濾波器和 SAW 雙工器。在電子設(shè)備的頻率控制領(lǐng)域，高利奇的 GVXO - 753F/SC - 8.192MHz 壓控晶振（VCXO）展現(xiàn)出卓越的性能。它采用 7050 封裝，這種規(guī)格能較好地平衡尺寸與性能，便于在各類電路板上安裝使用。
作為 VCXO 壓控晶振，其最大特點(diǎn)是可通過電壓對(duì)輸出頻率進(jìn)行精確控制。精準(zhǔn)的 8.192MHz 頻率輸出，能為電子設(shè)備提供穩(wěn)定的時(shí)鐘基準(zhǔn)。并且，在電壓調(diào)控下，頻率可在一定范圍內(nèi)靈活調(diào)整，以滿足不同應(yīng)用場(chǎng)景的需求。
該石英晶體振蕩器具備出色的頻率穩(wěn)定性和抗干擾能力。在復(fù)雜的電磁環(huán)境和多變的工作條件下，它能有效抵御外界干擾，減少頻率波動(dòng)，確保設(shè)備穩(wěn)定運(yùn)行。廣泛應(yīng)用于通信設(shè)備、測(cè)試儀器等領(lǐng)域，為這些設(shè)備的精確頻率控制和穩(wěn)定工作提供了有力保障。

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tp22png VCXO壓控晶振,GVXO-753F/SC-8.192MHz,高利奇晶振,GVXO-753F晶振,7050振蕩器

頻率范圍	1.50 ~ 54.0兆赫
尺寸	7050貼片晶振
包	6 個(gè)焊盤，2.54mm 間距
電壓控制	+1.65V ±1.50V，10% 線性度
儲(chǔ)存溫度范圍	-40 至 +85°C
電源電壓（VDD 系列)	+3.3V （±10%）
電源電流	最大 10mA （1.5 ~ 20.0MHz）
	最大 15mA （>20.0 ~ 30.0MHz）
	最大 20mA （>30.0 ~ 40.0MHz）
	最大 25mA （>40.0MHz）
駕駛能力	15pF CMOS
邏輯電平	“0”電平 = 10%VDD 系列最大
邏輯電平	“1”電平 = 90%VDD 系列分鐘
波形對(duì)稱性	最大 45：55
上升/下降時(shí)間（10%~90%VDD 系列)	最大 10ns （1.5 ~ 10.0MHz）
上升/下降時(shí)間（10%~90%VDD 系列)	最大 6ns （>10.0MHz）
啟用/禁用功能	三態(tài)（通過焊盤 2 控制）
相位噪聲（typ）	-130dBc/Hz（典型值）@ 1kHz
凈質(zhì)量	150 毫克

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tp33 VCXO壓控晶振,GVXO-753F/SC-8.192MHz,高利奇晶振,GVXO-753F晶振,7050振蕩器

VCXO壓控晶振,GVXO-753F/SC-8.192MHz,高利奇晶振,GVXO-753F晶振,7050振蕩器

所有石英晶振產(chǎn)品的共同點(diǎn)
抗沖擊
晶體產(chǎn)品可能會(huì)在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落或在貼裝過程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過沖擊請(qǐng)勿使用。
輻射
暴露于輻射環(huán)境會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害，因此應(yīng)避免照射。
化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境
請(qǐng)勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解產(chǎn)品或包裝材料的環(huán)境下使用或儲(chǔ)藏這些產(chǎn)品。
粘合劑
請(qǐng)勿使用可能導(dǎo)致石英晶振產(chǎn)品所用的封裝材料，終端，組件，玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。（比如，氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶體單元的金屬“蓋”，從而破壞密封質(zhì)量，降低性能。）
鹵化合物
請(qǐng)勿在鹵素氣體環(huán)境下使用產(chǎn)品。即使少量的鹵素氣體，比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi)，都可能產(chǎn)生腐蝕。同時(shí)，請(qǐng)勿使用任何會(huì)釋放出鹵素氣體的樹脂。
靜電
過高的靜電可能會(huì)損壞產(chǎn)品，請(qǐng)注意抗靜電條件。請(qǐng)為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料。在處理的時(shí)候，請(qǐng)使用電焊槍和無高電壓泄漏的測(cè)量電路，并進(jìn)行接地操作。

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