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希華晶振,石英晶振,LP-2.5晶振,插件晶振

頻率：3.5~80MHZ

尺寸：11.05*4.65*2.5mm

插件石英晶振最適合用于比較低端的電子產(chǎn)品,比如兒童玩具,普通家用電器,即使在汽車電子領(lǐng)域中也能使產(chǎn)品高可靠性的使用.并且可用于安全控制裝置的CPU時鐘信號發(fā)生源部分,好比時鐘單片機上的石英晶振,在極端嚴(yán)酷的環(huán)境條件下,晶振也能正常工作.

訂購熱線：0755-27837162

希華晶體科技成立于1988年，專精于石英頻率控制元件之研發(fā)、設(shè)計、生產(chǎn)與銷售。從人工晶棒長成到最終產(chǎn)品，透過最佳團(tuán)隊組合及先進(jìn)之生產(chǎn)技術(shù)，建立完整的產(chǎn)品線，包含人工水晶、石英晶片、SAW WAFER，以及石英晶體、晶體振蕩器、晶體濾波器、溫度補償型及電壓控制型產(chǎn)品等，以健全的供應(yīng)煉系統(tǒng)，為客戶提供全方位的服務(wù)。營運據(jù)點遍布臺灣、中國大陸、日本、新加坡、美國及歐洲等世界各地，使希華得以提供服務(wù)予世界電子大廠。 49S石英晶體諧振器,引腳插件無源晶體,LP-2.5晶振
導(dǎo)入先進(jìn)無源晶振微機電制程創(chuàng)新研發(fā)技術(shù),敏銳地掌握電子產(chǎn)品輕薄短小化、快速光電寬頻傳輸與高頻通訊的發(fā)展主流，致力于開發(fā)小型化、高頻與光電領(lǐng)域等產(chǎn)品，與日本同業(yè)并駕齊驅(qū)。且深耕微機電(MEMS)技術(shù)領(lǐng)域，加速導(dǎo)入TF SMD Crystal的量產(chǎn)，藉以擴大公司營收規(guī)模并且提升獲利空間。2003年通過ISO14001環(huán)境管理系統(tǒng)驗證，秉持“污染預(yù)防、持續(xù)改善”之原則，公司事業(yè)廢棄物產(chǎn)出量逐年降低，可回收、再利用之廢棄物比例逐年提高，各項排放檢測數(shù)據(jù)符合政府法規(guī)要求。并由原材料管控禁用或限用環(huán)境危害物質(zhì)與國際大廠對于綠色生產(chǎn)及綠色產(chǎn)品的要求相符，于2004年通過SONY 綠色伙伴(Green Partner)驗證。

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希華晶振,石英晶振,LP-2.5晶振,插件晶振,引腳焊接型石英晶體元件.工廠倉庫長時間大量庫存常用頻點,高精度的頻率和晶振本身更低的等效串聯(lián)電阻,常用負(fù)載電容.49/S石英晶振,因插件型晶體成本更低和更高的批量生產(chǎn)能力,主要應(yīng)用于電視,機頂盒,LCDM和游戲機家用常規(guī)電器數(shù)碼產(chǎn)品等的最佳選擇.符合RoHS/無鉛,具有穩(wěn)定的起振特性,高耐熱性,耐熱循環(huán)性和耐振性等的高可靠性能,由于在49/S形晶體諧振器的底部裝了樹脂底座,就可作為產(chǎn)品電氣特性和高可靠性無受損的表面貼片型晶體諧振器使用,滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求.
石英晶體諧振器真空退火技術(shù)：晶振高真空退火處理是消除貼片晶振在加工過程中產(chǎn)生的應(yīng)力及輕微表面缺陷。在PLC控制程序中輸入已設(shè)計好的溫度曲線，使真空室溫度跟隨設(shè)定曲線對晶體組件進(jìn)行退火，石英晶振通過合理的真空退火技術(shù)可提高晶振主要參數(shù)的穩(wěn)定性，以及提高石英晶振的年老化特性。晶振的真空封裝技術(shù)：是指石英晶振在真空封裝區(qū)域內(nèi)進(jìn)行封裝。1.防止外界氣體進(jìn)入組件體內(nèi)受到污染和增加應(yīng)力的產(chǎn)生；2.使晶振組件在真空下電阻減??；3.氣密性高。此技術(shù)為研發(fā)及生產(chǎn)超小型、超薄型石英晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一.49S石英晶體諧振器,引腳插件無源晶體,LP-2.5晶振 JLX-2

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希華晶振	單位	LP-2.5晶振	石英晶振基本條件
標(biāo)準(zhǔn)頻率	f_nom	3.5MHz~80.000MHz	標(biāo)準(zhǔn)頻率
儲存溫度	T_stg	-40°C~+90°C	裸存
工作溫度	T_use	-10°C ~+70°C,-40°C ~+85°C	標(biāo)準(zhǔn)溫度
激勵功率	DL	10~100μW Max.	推薦:10μW ～ 100μW
頻率公差	f_— l	±50× 10-6 (標(biāo)準(zhǔn))	+25°C 對于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, 請聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://m.jftz888.com/
頻率溫度特征	f_tem	±30 × 10-6/-10°C ~+70°C	超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請聯(lián)系我們.
負(fù)載電容	CL	5PF	不同負(fù)載電容要求,請聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR)	R1	如下表所示	-30°C~ +85°C, DL = 100μW
頻率老化	f_age	±50× 10-6 / year Max.	+25°C,第一年

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LP-2.5 11.05-4.65

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石英DIP晶振自動安裝和真空化引發(fā)的沖擊會破壞產(chǎn)品特性并影響這些產(chǎn)品。請設(shè)置安裝條件以盡可能將沖擊降至最低,并確保在安裝前未對晶振特性產(chǎn)生影響。條件改變時,請重新檢查安裝條件。同時,在安裝前后,請確保石英晶振產(chǎn)品未撞擊機器或其他電路板等。希華晶振,石英晶振,LP-2.5晶振,插件晶振
在一個不同擴張系數(shù)電路板（環(huán)氧玻璃）上焊接陶瓷封裝石英進(jìn)口晶振時,在溫度長時間重復(fù)變化時可能導(dǎo)致端子焊接部分發(fā)生斷裂,請事先檢查焊接特性。（2）陶瓷封裝貼片晶振在一個不同擴張系數(shù)電路板（環(huán)氧玻璃）上焊接陶瓷封裝貼片晶振時,在溫度長時間重復(fù)變化時可能導(dǎo)致端子焊接部分發(fā)生斷裂,請事先檢查焊接特性。49S石英晶體諧振器,引腳插件無源晶體,LP-2.5晶振
（3）柱面式產(chǎn)品:產(chǎn)品的玻璃部分直接彎曲引腳或用力拉伸引腳會導(dǎo)致在引腳根部發(fā)生密封玻璃分裂（開裂）,也可能導(dǎo)致氣密性和產(chǎn)品特性受到破壞。當(dāng)兩腳石英晶振的引腳需彎曲成下圖所示形狀時,應(yīng)在這種場景下留出0.5mm的引腳并將其托住,以免發(fā)生分裂。當(dāng)該引腳需修復(fù)時,請勿拉伸,托住彎曲部分進(jìn)行修正。在該密封部分上施加一定壓力,會導(dǎo)致氣密性受到損壞。所以在此處請不要施加壓力。另外,為避負(fù)機器共振造成引腳疲勞切斷,建議用粘著劑將產(chǎn)品固在定電路板上。

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測試條件:(1)電源電壓:超過 150µs，直到電壓級別從 0 %達(dá)到 90 % 。電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2)其他:輸入電容低于 15 pF,5倍頻率范圍或更多測量頻率。鉛探頭應(yīng)盡可能短。測量頻率時，探頭阻抗將高于 1MΩ。當(dāng)波形經(jīng)過插件石英晶振振蕩器的放大器時，可同時進(jìn)行測量。(3)其他:CL包含探頭電容。應(yīng)使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。使用微型插槽，以觀察波形。（請勿使用該探頭的長接地線。）希華晶振,石英晶振,LP-2.5晶振,插件晶振

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振蕩電路的檢查方法:振蕩頻率測量:必須盡可能地測量安裝在電路上的諧振器的振蕩頻率的真實值，使用正確的方法。在49S插件石英晶體諧振器振蕩頻率的測量中，通常使用探頭和頻率計數(shù)器。然而,我們的目標(biāo)是通過限制測量工具對振蕩電路本身的影響來測量。有三種頻率測量模式，如下面的圖所示（圖）。2, 3和4）。最精確的測量方法是通過使用任何能夠精確測量的頻譜分析儀來實現(xiàn)的。
接觸振蕩電路。探針不影響圖2，因為緩沖器的輸出是通過輸入49S插件晶振振蕩電路的輸出來測量的。逆變器進(jìn)入下一階段。探針不影響圖3，因為在IC上測量緩沖器輸出（1/1、1/2等）。圖4示出了來自ic的無緩沖器輸出接收的情況，由此通過小尺寸測量來最小化探針的效果。輸出點之間的電容（3 pF以下XTAL終端IC）和探針。然而，應(yīng)該注意到，使用這種方法輸出波形較小，測量不能依賴于即使示波器能檢查振蕩波形，頻率計數(shù)器的靈敏度也可以。在這種情況下，使用放大器來測量。

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