SiTime正在為電子產(chǎn)品的小型化提供支持，它提供的時間解決方案是行業(yè)中最小的包裹——最小的1.5 x 0.8毫米——以及減少元件數(shù)量的獨特功能。我們的溫補晶振通過將同一包中的多個組件的功能組合在一起，從而減少了董事會空間。半導體公司正在將我們的硅MEMS諧振器集成到他們的足球/asics中，從而完全消除外部時鐘，簡化系統(tǒng)設計。通過一個全新的全硅平臺，SiTime有著卓越的歷史成就。我們快速的技術突破是通過利用硅技術的優(yōu)勢，結合了數(shù)十年的MEMS諧振器經(jīng)驗和內(nèi)部模擬技術來實現(xiàn)的。
    SiTime的MEMS技術起源于博世和斯坦福大學。在我們的創(chuàng)始人創(chuàng)立SiTime之前，他們花了數(shù)年時間，在德國的博世和加州的帕洛阿爾托研發(fā)挽救生命的MEMS解決方案。自2005年成立以來，SiTime公司開發(fā)了幾代先進的kHz和MHz MEMS貼片晶振，它們具有最高的性能、最小的漂移、最小的尺寸和最好的可靠性。我們還開發(fā)了一個全面的開發(fā)和仿真平臺，確保了我們所有MEMS諧振器的第一個硅成功。

    SiTime晶振,2016有源晶體,SiT1602晶振.包含一個可編程驅動強度特性，為特定應用提供一個簡單而靈活的工具來優(yōu)化時鐘上升/下降時間?？删幊舔寗訌姸裙δ艿暮锰幨牵和ㄟ^減慢時鐘上升/下降時間來改善系統(tǒng)輻射電磁干擾（EMI）•通過降低（加速）時鐘上升/下降時間來改善下游時鐘接收器（RX）抖動•能夠在保持全速擺動的情況下，以較高的邊沿速率驅動大容量負載?？梢栽谧畲箅娙葚撦d下支持高達60 pF或更高的電壓，并可多達3個額外的驅動強度設置。
    SiTime晶振高精度晶片的拋光技術：貼片晶振是目前晶片研磨技術中表面處理技術的最高技術，最終使晶振晶片表面更光潔，平行度及平面度更好，降低諧振電阻，提高Q值。從而達到一般研磨所達不到的產(chǎn)品性能，使石英晶振的等效電阻等更接近理論值，使晶振可在更低功耗下工作。使用先進的牛頓環(huán)及單色光的方法去檢測晶片表面的狀態(tài)。2016石英晶體振蕩器,進口OSC有源晶振,SiT1602晶振

清洗

    關于一般清洗液的使用以及超聲波清洗沒有問題，但這僅僅是對單個石英晶體振蕩器產(chǎn)品進行試驗所得的結果，因此請根據(jù)實際使用狀態(tài)進行確認。
    由于音叉型晶體諧振器的頻率范圍和超聲波清洗機的清洗頻率很近，容易受到共振破壞，因此請盡可能避免超聲波清洗。若要進行超聲波清洗，必須事先根據(jù)實際使用狀態(tài)進行確認。2016石英晶體振蕩器,進口OSC有源晶振,SiT1602晶振
撞擊
    雖然進口晶體振蕩器產(chǎn)品在設計階段已經(jīng)考慮到其耐撞擊性，但如果掉到地板上或者受到過度的撞擊，以防萬一還是要檢查特性后再使用。
裝載
＜SMD產(chǎn)品＞
    SMD晶體產(chǎn)品支持自動貼裝，但還是請預先基于所使用的搭載機實施搭載測試，確認其對特性沒有影響。 在切斷工序等會導致基板發(fā)生翹曲的工序中，請注意避免翹曲影響到產(chǎn)品的特性以及軟焊。 基于超聲波焊接的貼裝以及加工會使得有源貼片晶振產(chǎn)品（諧振器、振蕩器、濾波器）內(nèi)部傳播過大的振動，有可能導致特性老化以及引起不振蕩，因此不推薦使 用。
＜引線類型產(chǎn)品＞
    當引線彎折、成型以及貼裝到印制電路板時，請注意避免對基座玻璃部分施加壓力。否則有可能導致玻璃出現(xiàn)裂痕，從而引起性能劣化。SiTime晶振,2016有源晶體,SiT1602晶振
保管
    保管在高溫多濕的場所可能會導致端子軟焊性的老化。請在沒有直射陽光，不發(fā)生結露的場所保管。

1、振蕩電路
貼片型晶體振蕩器是有源元件，因此不會受到電源電壓、環(huán)境溫度、電路的影響。
配置、電路常數(shù)和襯底布線模式等操作大致分為正常運行和
異常運行。因此，在振蕩電路的設計中，先決條件之一是如何確定振蕩電路。
晶體諧振器的振動安全穩(wěn)定。只有在做出了這個決定之后，后續(xù)的項目，例如
討論了頻率精度、頻率變化、調制度、振蕩起始時間和振蕩波形。SiTime晶振,2016有源晶體,SiT1602晶振
2。角色的分量與參考值
在振蕩電路的設計中，必須認識到個體的作用。
組件.在表1中，以例如振蕩電路為例來描述角色。
（圖1）使用一個通用的C-MOS IC（74hcuo4ap東芝）。
當反饋電阻（rf）未安裝在振蕩電路中時，如圖所示
表1，即使在振蕩功率作用下，諧振器也不會啟動振蕩。
電路。除非有適當值的電阻器連接，否則振蕩不會啟動。

晶體諧振腔的形式模式，但泛音振蕩或基波。
2016mm封裝有源晶體振蕩開始代替。在基本諧振的情況下（MHz頻段）反饋電阻通常是1米?。在泛音諧振器（兆赫頻帶）的情況下，值取決于IC和頻率特性，但在幾個范圍內(nèi)。
K?-?幾十K。在音叉式諧振器的案例（kHz頻段），需要連接一個電阻10米或更?。

限制流入諧振器的電流，調節(jié)負電阻和勵磁。
電平，防止諧振腔的反常振蕩，抑制頻率波動。
C1、C2電容器調節(jié)負電阻、勵磁電平和振蕩頻率。還設置有
給定負載能力。
適當?shù)目刂齐娮柚担≧D）取決于小體積有源晶振的類型，頻帶和設備的價值。
電容器（C1，C2）。精確值是通過測量振蕩電路的特性來確定的（包括
負電阻和驅動級）。AT切割諧振器（兆赫頻帶）的參考值在幾個范圍內(nèi)。
?幾K?。音叉式諧振器（kHz頻段）的參考值在100 K?幾K?范圍。2016石英晶體振蕩器,進口OSC有源晶振,SiT1602晶振
安裝電容器的適當值取決于諧振器的類型、頻帶、控制電阻器的值和
振蕩的順序，在3 pF的范圍內(nèi)- 33 pF左右，僅供參考。

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