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CB3LV-3I-133M3300,7050金屬封裝晶振,CTS西迪斯有源晶振
CB3LV-3I-133M3300,7050金屬封裝晶振,CTS西迪斯有源晶振,133.33MHz的高頻輸出可提升設(shè)備數(shù)據(jù)處理速率,金屬封裝有效隔絕設(shè)備內(nèi)部電磁干擾,保障信號純凈度,同時小巧的7050封裝契合消費電子小型化的設(shè)計趨勢,為高端消費電子的卓越性能提供穩(wěn)定時基支持.更多 +
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LFTVXO009909BULK,VCTCXO壓控溫補晶振,高頻率穩(wěn)定性晶振
LFTVXO009909BULK,VCTCXO壓控溫補晶振,高頻率穩(wěn)定性晶振,采用低功耗振蕩電路設(shè)計,在5V供電電壓晶振,典型工作電流＜20mA,相比傳統(tǒng)高功耗VCTCXO,能有效降低設(shè)備能耗,適配便攜式檢測設(shè)備,電池供電的物聯(lián)網(wǎng)終端等對功耗敏感的場景.無引腳設(shè)計適配SMT自動化生產(chǎn)工藝,減少人工組裝誤差,提升生產(chǎn)效率.內(nèi)部電路采用抗干擾設(shè)計,結(jié)合金屬屏蔽層,可有效抵御外部電磁干擾(EMI),避免周邊元器件對晶振信號的干擾,進一步保障頻率輸出穩(wěn)定性.更多 +
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LFSPXO020060REEL,7050金屬封裝晶振,5V供電電壓晶振
LFSPXO020060REEL,7050金屬封裝晶振,5V供電電壓晶振,該IQD晶振采用7050標(biāo)準(zhǔn)貼片金屬封裝(尺寸為7.0mm×5.0mm),金屬外殼具備優(yōu)異的物理防護與電磁屏蔽性能.一方面,金屬材質(zhì)抗沖擊,抗擠壓能力遠(yuǎn)超塑料封裝,能有效抵御設(shè)備組裝,運輸及使用過程中的機械損傷,降低外力導(dǎo)致的晶振失效風(fēng)險,另一方面,金屬外殼可屏蔽外部電磁干擾(EMI),同時減少晶振自身工作時產(chǎn)生的電磁輻射,避免對周邊敏感元器件(如傳感器,通信模塊)造成信號干擾,尤其適合醫(yī)療設(shè)備,工業(yè)自動化生產(chǎn)線等對電磁兼容性(EMC)要求嚴(yán)苛的場景.更多 +
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