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Sunny晶振,SLV-G53晶振,SLV-G533330GDDSR-125.000M晶振

頻率：10~400MHZ

尺寸：5.0*3.2mm

小型SMD有源晶振,從最初超大體積到現(xiàn)在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm體積,有著翻天覆地的改變,體積的變小也使產(chǎn)品帶來了更高的穩(wěn)定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點,SMD高速自動安裝和高溫回流焊設(shè)計,Optionable待機輸出三態(tài)輸出功能,電源電壓范圍:1.8V~5V,高穩(wěn)定性,低抖動,低功耗,主要應(yīng)用領(lǐng)域:無線通訊,高端智能手機,平板筆記本W(wǎng)LAN,藍牙,數(shù)碼相機,DSL和其他IT產(chǎn)品的晶振應(yīng)用,三態(tài)功能,PC和LCDM等高端數(shù)碼領(lǐng)域,符合RoHS/無鉛.

訂購熱線：0755-27837162

Sunny晶振,SLV-G53晶振,SLV-G533330GDDSR-125.000M晶振，優(yōu)秀的研究具有滿腔的熱情為高科技發(fā)展的最佳實驗室Sunny晶振是在世界市場上的競爭力,電子行業(yè)的發(fā)展趨勢和產(chǎn)品的開發(fā),以保證開發(fā)趨勢和多邊角度來看,如提高性能和工藝改進的晶振產(chǎn)品和零部件制造商進行專門討論第二類產(chǎn)品開發(fā)的系統(tǒng)研究.

作為陶瓷封裝型振蕩器,VCXO振蕩器,例如在攝像機,數(shù)碼相機,ADSL使用打印機作為表面安裝型形成和研發(fā)相對于SIZE的小型化.

為了提高石英晶體產(chǎn)品的生產(chǎn)率和提高質(zhì)量,有必要使設(shè)施自動化.為此,我們正在努力提高設(shè)施的有效運行和高精度模具的開發(fā).

Sunny晶振,SLV-G53晶振,SLV-G533330GDDSR-125.000M晶振，為了完成開發(fā)的用于時鐘發(fā)生的公益性的戰(zhàn)場和通信產(chǎn)品的小型化,根據(jù)用于電子產(chǎn)品的小型化石英晶振和低功耗IC傳感器的毛坯制造技術(shù)的基礎(chǔ)上,在低功率的穩(wěn)定振蕩我們專注于研究和開發(fā).

Sunny晶振,SLV-G53晶振,SLV-G533330GDDSR-125.000M晶振，Sunny晶振企業(yè)位于韓國忠州忠北的一個工業(yè)園內(nèi),中文名字叫做三呢晶振,成立的時間比較早,是1966年9月15號正式創(chuàng)辦的,Sunny Crystal主要開發(fā),設(shè)計,測試,生產(chǎn)石英晶體振蕩,TCXO溫補晶振,無源貼片晶振等元件.

小型SMD有源晶振,從最初超大體積到現(xiàn)在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm體積,有著翻天覆地的改變,體積的變小也使產(chǎn)品帶來了更高的穩(wěn)定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點,SMD高速自動安裝和高溫回流焊設(shè)計,Optionable待機輸出三態(tài)輸出功能,電源電壓范圍:1.8V~5V,高穩(wěn)定性,低抖動,低功耗,主要應(yīng)用領(lǐng)域:無線通訊,高端智能手機,平板筆記本W(wǎng)LAN,藍牙,數(shù)碼相機,DSL和其他IT產(chǎn)品的晶振應(yīng)用,三態(tài)功能,PC和LCDM等高端數(shù)碼領(lǐng)域,符合RoHS/無鉛.

ITEM	Value	Remarks
Output Logic Type	LVDS	LVDS VCXO
Frequency Range	10.000 MHz to 400.000 MHz
Supply Voltage(V DD )	1.8 V DC to 3.3 V DC2.5 V DC
	±5 %, 3.3 V DC
	±5 %
Operating Temperature Range	-20 to +70 ℃, -40 to +85 ℃
Storage Temperature Range	-55 to +125 ℃
Frequency Stability	±25ppm, ±50ppm, ±100ppm Max.	Over Operating Temperature range
Input Current	45mA max. at 2.5 V, 65mA Max. at 3.3 V	With Load
Output Voltage Logic High(V OH)	1.43 VTyp., 1.60 V Max.
Output Voltage Logic Low(V OL	1.10 VTyp., 0.90 V Min.
)	1.10 VTyp., 0.90 V Min.
Differential Output Voltage(V OD	247 mV Min., 330 mV Typ., 454 mV Max.
)	247 mV Min., 330 mV Typ., 454 mV Max.
Offset Voltage(V OS	1.125 V Min., 1.250 V Typ., 1.375 V Max.
)	1.125 V Min., 1.250 V Typ., 1.375 V Max.
Rise / Fall Time	0.3 ns Typ., 0.7 ns Max.	Measured over
Rise / Fall Time	0.3 ns Typ., 0.7 ns Max.	20 % to 80 % of waveform
Duty Cycle	45 to 55 %, 40 to 60 %	Measured at 50 % of waveform
Start-up Time	10 ms Max.
Output Load Condition(LVDS)	100 Ω	Between Output and
Output Load Condition(LVDS)	100 Ω	Complementary Output
Frequency Deviation	±50 ppm, ±80 ppm, ±100 ppm Min.	Over Vc range
Control Voltage(Vc)	1.25 ±1.05 V, 1.65 ±1.35 V	Please specify
Linearity	15 % Max.
Output Enable Function	70 % of V DD min. to Enable Output	High Impedance
(V IHand V IL)	30 % of V DD max. to Disable Output	High Impedance
RMS Phase Jitter	0.5 ps Typ., 1 ps Max.	BW : 12 kHz to 20 MHz
Frequency Aging	±5 ppm Max.	25 ℃, First year

SLV-G53

焊接和超聲波清洗
  Sunny晶振,SLV-G53晶振,SLV-G533330GDDSR-125.000M晶振，石英晶振的焊接溫度條件是旨在允許同時處理其他電子元件，但取決于產(chǎn)品類型條件可能受到限制。確認使用前的條件?；旧希暡ㄇ逑粗竸┰试S，但在某些情況下，與振蕩共振超聲波清潔器的頻率可能會導(dǎo)致晶體單元的特性惡化。請檢查所有清潔前的條件。
腐蝕性物質(zhì)的影響
當SMD晶體單元接觸鹽或腐蝕性材料或長期暴露于某些物質(zhì)這可能是氯化物或硫化物氣體等氣氛造成嚴重的缺陷，例如包裝失去其密封性由于腐蝕。選擇粘合劑或灌封時要特別小心用于晶體單元周邊的試劑。
安裝引線安裝型晶體單元
  （1）在PC板上安裝一個晶體單元，使其高度單位低于其他部分；這樣可以防止
由于沖擊引起的破損引起的支架式玻璃上方。玻璃破碎可能會影響氣密性密封導(dǎo)致性能下降。
  （2）安裝鉛封式晶體單元時使用PC板，PC上的孔之間的距離電路板應(yīng)該等于端子之間的距離晶體單元安裝。螺距中最輕微的誤差可能會導(dǎo)致玻璃裂縫水晶單元支架的一部分。
  （3）安裝引線型晶體單元時，我們建議設(shè)備應(yīng)與PC聯(lián)系電路板和焊接方式，以防止疲勞和由于機械共振引起的引線斷裂。
  （4）在PC板上安裝晶振后，移動如圖14所示的單元使支架基底玻璃破裂導(dǎo)致特性惡化。別動了這樣的水晶單元。