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自從我們?cè)?990年成立以來，Golledge電子取得了前所未有的成功。經(jīng)過多年的不斷增長，我們現(xiàn)在是英國最主要的貼片晶振產(chǎn)品供應(yīng)商。我們的注冊(cè)到iso - 9001 :2015強(qiáng)調(diào)了對(duì)質(zhì)量的全面承諾，同時(shí)我們的產(chǎn)品的完整性由我們的專門的內(nèi)部測(cè)試和測(cè)量實(shí)驗(yàn)室確保。我們的專業(yè)和高效的方法使我們成為許多領(lǐng)先的電子設(shè)備OEM和河北的首選供應(yīng)商。
總部位于西英格蘭心臟地帶的一個(gè)美麗的轉(zhuǎn)換農(nóng)場(chǎng)建筑的收集，Golledge向全世界50多個(gè)國家的出口石英晶振，占收入的60%以上。我們的理念始終以產(chǎn)品和服務(wù)的質(zhì)量和一致性為基礎(chǔ)。我們多年來一直努力保持我們的產(chǎn)品在頻率控制市場(chǎng)的發(fā)展的最前沿。憑借我們對(duì)互聯(lián)網(wǎng)和電子商務(wù)的承諾，我們能夠支持我們客戶最復(fù)雜和最苛刻的需求。

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Golledge晶振,壓電石英晶體諧振器,GSX-200晶振.32.768K時(shí)鐘晶體具有小型,薄型,輕型的貼片晶振表面音叉型晶體諧振器,特別適用于有小型化要求的市場(chǎng)領(lǐng)域,比如智能手機(jī),無線藍(lán)牙,平板電腦等電子數(shù)碼產(chǎn)品.產(chǎn)品本身具有耐熱,耐振,耐撞擊等優(yōu)良的耐環(huán)境特性,滿足無鉛焊接以及高溫回流溫度曲線要求.
高利奇通過結(jié)合以往低速滾筒倒邊去除晶振晶片的邊緣效應(yīng)，在實(shí)際操作中機(jī)器運(yùn)動(dòng)方式設(shè)計(jì)、滾筒的曲率半徑、滾筒的長短、使用的研磨砂的型號(hào)、多少、填充物種類及多少等各項(xiàng)設(shè)計(jì)必須合理，有一項(xiàng)不完善都會(huì)使音叉晶振晶片的邊緣效應(yīng)不能去除，而石英晶振晶片的諧振電阻過大，用在電路中Q值過小，從而電路不能振動(dòng)或振動(dòng)不穩(wěn)定。

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golledge晶振	單位	GSX-200晶振	石英晶振基本條件
標(biāo)準(zhǔn)頻率	f_nom	32.768KHZ	標(biāo)準(zhǔn)頻率
儲(chǔ)存溫度	T_stg	-55°C～+125°C	裸存
工作溫度	T_use	-40°C～+85°C	標(biāo)準(zhǔn)溫度
激勵(lì)功率	DL	1.0μW Max.	推薦:1μW～100μW
頻率公差	f_— l	±20 × 10-6(標(biāo)準(zhǔn)), (±20 × 10-6～±100 × 10-6可用)	+25°C對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, 請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://m.jftz888.com/
頻率溫度特征	f_tem	±50 × 10-6/-10°C～+60°C	超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們.
負(fù)載電容	CL	12.5pF	不同負(fù)載要求,請(qǐng)聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR)	R1	如下表所示	-40°C — +85°C,DL = 100μW
頻率老化	f_age	±3 × 10-6/ year Max.	+25°C,第一年

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操作
請(qǐng)勿用鑷子或任何堅(jiān)硬的工具，夾具直接接觸IC的表面。Golledge晶振,壓電石英晶體諧振器,GSX-200晶振
使用環(huán)境（溫度和濕度）
請(qǐng)?jiān)谝?guī)定的溫度范圍內(nèi)使用進(jìn)口晶振。這個(gè)溫度涉及本體的和季節(jié)變化的溫度。在高濕環(huán)境下，會(huì)由于凝露引起故障。請(qǐng)避免凝露的產(chǎn)生。
激勵(lì)功率
在晶體單元上施加過多驅(qū)動(dòng)力，會(huì)導(dǎo)致石英晶體諧振器特性受到損害或破壞。電路設(shè)計(jì)必須能夠維持適當(dāng)?shù)募?lì)功率（請(qǐng)參閱“激勵(lì)功率”章節(jié)內(nèi)容）。
負(fù)極電阻
除非振蕩回路中分配足夠多的負(fù)極電阻，否則振蕩或振蕩啟動(dòng)時(shí)間可能會(huì)增加（請(qǐng)參閱“關(guān)于振蕩”章節(jié)內(nèi)容）。
負(fù)載電容
振蕩電路中負(fù)載電容的不同，可能導(dǎo)致無源晶振振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差。試圖通過強(qiáng)力調(diào)整，可能只會(huì)導(dǎo)致不正常的振蕩。在使用之前，請(qǐng)指明該振動(dòng)電路的負(fù)載電容（請(qǐng)參閱“負(fù)載電容”章節(jié)內(nèi)容）。

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設(shè)計(jì)振蕩回路的注意事項(xiàng)
1.驅(qū)動(dòng)能力
驅(qū)動(dòng)能力說明陶瓷殼無源晶振所需電功率，其計(jì)算公式如下：
驅(qū)動(dòng)能力 (P) = i2?Re
其中i表示經(jīng)過晶體單元的電流，
Re表示晶體單元的有效電阻，而且 Re=R1（1+Co/CL）2。

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2.振蕩補(bǔ)償
除非在8038貼片晶振振蕩電路中提供足夠的負(fù)極電阻，否則會(huì)增加振蕩啟動(dòng)時(shí)間，或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生，請(qǐng)?jiān)陔娐吩O(shè)計(jì)時(shí)提供足夠的負(fù)極電阻。

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3. 負(fù)載電容
如果振蕩電路中負(fù)載電容的不同，可能導(dǎo)致32.768K數(shù)字電表晶振振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差，如下圖所示。電路中的負(fù)載電容的近似表達(dá)式 CL≒CG × CD / （CG+CD） + CS。
其中CS表示電路的雜散電容。Golledge晶振,壓電石英晶體諧振器,GSX-200晶振

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