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EPSON晶體,有源晶振,SG-210SDBA晶振,X1G004601A002晶振
頻率：2~60MHZ
尺寸：2.5*2.0mm
愛普生株式會社愛普生拓優(yōu)科夢,（EPSON — YOCOM）1942年成立時是精工集團的第三家手表制造公司,以石英手表起家的愛普生公司到后續(xù)的生產(chǎn)有源晶振,1996年2月在中國蘇州投資建廠,在當時員工人數(shù)就達2000人,總投資4.055億美元,公司占地200畝,現(xiàn)已經(jīng)是世界500強企業(yè).
日本精工愛普生接受了中國蘇州政府2007 年的招商引資,命名為【愛普生拓優(yōu)科夢水晶元器件（蘇州）有限公司】 愛普生拓優(yōu)科夢（Epson Toyocom）是精工愛普生株式會社與愛普生（中國）有限公司共同投資成立的有限責任公司（外商合資）.目前注冊資本2500萬美金.現(xiàn)員工人數(shù):1500人.主要從事壓電石英晶體系列產(chǎn)品的生產(chǎn),投資初期主要生產(chǎn)32.768KHZ系列產(chǎn)品,從2009年起32.768K系列產(chǎn)品轉向馬來西亞量產(chǎn).蘇州愛普生工廠就以生產(chǎn)高端的石英晶體振蕩器為主,普通石英晶體諧振器為輔.
EPSON晶體,有源晶振,SG-210SDBA晶振,X1G004601A002晶振,石英晶振在選用晶片時應注意溫度范圍、晶振溫度范圍內的頻差要求，貼片晶振溫度范圍寬時(-40℃-85℃)晶振切割角度比窄溫(-10℃-70℃)切割角度應略高。對于晶振的條片，長邊為 X 軸，短邊為 Z 軸，面為 Y 軸。對于圓片晶振，X、Z 軸較難區(qū)分，所以石英晶振對精度要求高的產(chǎn)品（如部分定單的 UM-1），會在 X 軸方向進行拉弦（切掉一小部分），以利于晶振的晶片有方向的裝架點膠，點膠點點在 Z 軸上。保證晶振產(chǎn)品的溫度特性。
貼片式石英晶體振蕩器,低電壓啟動功率,并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,產(chǎn)品石英晶振被廣泛應用于,平板筆記本,衛(wèi)星系統(tǒng),光纖通道,千兆以太網(wǎng),串行ATA,串行連接SCSI,PCI-EXPress的SDH / SONET發(fā)射基站等領域.符合RoHS/無鉛.
|
愛普生晶振規(guī)格 |
SG-210SDBA晶振 |
|
驅動輸出 |
CMOS |
|
常用頻率 |
2~60MHZ |
|
工作電壓 |
+2.5V（代表値） |
|
靜態(tài)電流 |
（工作時）+1.2 mA max. (F≦15MHz) +1.4 mA max. (15＜F≦26MHｚ） |
|
TCXO輸出電壓 |
0.8Vp-p min. |
|
TCXO輸出負載 |
（10kΩ//10pF) ±10％ |
|
常規(guī)溫度偏差 |
±20/30/50×10-6 (After 2 reflows) |
|
頻率溫度偏差 |
±30×10-6/-40℃～+85℃ |
|
±50×10-6/-55℃～+125℃（オプション） |
愛普生日產(chǎn)有源兆赫茲晶振型號列表：
愛普生日產(chǎn)有源兆赫茲晶振編碼列表：
Model
Frequency
LxWxH
Output Wave
Ope Temperature
Freq. Tol.
I [Max]
25°C Aging
Aging2
Symmetry
SG-210SCBA
12.288000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 3.0 mA
+/-3ppm
45 to 55 %
SG-210SCBA
40.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 3.0 mA
+/-3ppm
45 to 55 %
SG-210SCBA
16.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-100 ppm
≤ 3.0 mA
+/-3ppm
45 to 55 %
SG-210SCBA
11.059200 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 125 °C
+/-100 ppm
≤ 4.0 mA
+/-3ppm
40 to 60 %
SG-210SDBA
20.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 125 °C
+/-100 ppm
≤ 3.0 mA
+/-3ppm
40 to 60 %
SG-210SDBA
25.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 125 °C
+/-100 ppm
≤ 3.0 mA
+/-3ppm
40 to 60 %
SG-210SDBA
16.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 105 °C
+/-100 ppm
≤ 3.0 mA
+/-3ppm
40 to 60 %
SG-210SDBA
16.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 125 °C
+/-100 ppm
≤ 3.0 mA
+/-3ppm
40 to 60 %
Product Number
Model
Frequency
LxWxH
Output Wave
Ope Temperature
Freq. Tol.
I [Max]
25°C Aging
Aging2
Symmetry
X1G004591A078
SG-210SCBA
12.288000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 3.0 mA
+/-3ppm
45 to 55 %
X1G004591A081
SG-210SCBA
40.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 3.0 mA
+/-3ppm
45 to 55 %
X1G004591A082
SG-210SCBA
16.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-100 ppm
≤ 3.0 mA
+/-3ppm
45 to 55 %
X1G004591A602
SG-210SCBA
11.059200 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 125 °C
+/-100 ppm
≤ 4.0 mA
+/-3ppm
40 to 60 %
X1G004601A002
SG-210SDBA
20.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 125 °C
+/-100 ppm
≤ 3.0 mA
+/-3ppm
40 to 60 %
X1G004601A003
SG-210SDBA
25.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 125 °C
+/-100 ppm
≤ 3.0 mA
+/-3ppm
40 to 60 %
X1G004601A004
SG-210SDBA
16.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 105 °C
+/-100 ppm
≤ 3.0 mA
+/-3ppm
40 to 60 %
X1G004601A005
SG-210SDBA
16.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 125 °C
+/-100 ppm
≤ 3.0 mA
+/-3ppm
40 to 60 %
如何正確的使用有源晶振電處理：將電源連接到有源晶振指定的終端，確定正確的極性這目錄所示。注意電源的正負電極逆轉或者連接到一個終端以,以為外的指定一個產(chǎn)品部分內的石英晶振，假如損壞那將不會工作。此外如果外接電源電壓高于晶振的規(guī)定電壓值，就很可能會導致石英晶振產(chǎn)品損壞。所以外接電壓很重要，一定要確保使用正確的額定電壓的振蕩，但如果電壓低于額定的電壓值部分產(chǎn)品將會不起振，或者起不到最佳精度。EPSON晶體,有源晶振,SG-210SDBA晶振,X1G004601A002晶振
有源晶振的負載電容與阻抗:負載電容與阻抗進口石英晶振設置一個規(guī)定的負載阻抗值。當一個值除了規(guī)定的一個設置為負載阻抗輸出頻率和輸出電平不會滿足時，指定的值這可能會導致問題例如：失真的輸出波形。特別是設置電抗，根據(jù)規(guī)范的負載阻抗。輸出頻率和輸出電平，當測量輸出頻率或輸出水平，晶體振蕩器調整的輸入阻抗，測量儀器的負載阻抗晶體振蕩器。當輸入阻抗的測量儀器，不同的負載阻抗的晶體振蕩器，測量輸出頻率或輸出水平高，阻抗阻抗測量可以忽略。
機械處理:當金屬面晶振發(fā)生外置撞擊時，任何石英晶體振蕩器在遭到外部撞擊時，或者產(chǎn)品不小心跌落時，強烈的外置撞擊都將會導致晶振損壞，或者頻率不穩(wěn)定現(xiàn)象。不執(zhí)行任何強烈的沖擊石英晶體振蕩器。如果一個強大的沖擊已經(jīng)給振蕩器確保在使用前檢查其特點。
振蕩補償:除非在振蕩電路中提供足夠的負極電阻，否則會增加振蕩啟動時間，或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生，請在電路設計時提供足夠的負極電阻。EPSON晶體,有源晶振,SG-210SDBA晶振,X1G004601A002晶振
測試條件:(1)電源電壓:超過 150µs，直到高精度石英晶振電壓級別從 0 %達到 90 % 。電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2)其他:輸入電容低于 15 pF5倍頻率范圍或更多測量頻率。鉛探頭應盡可能短。測量頻率時，探頭阻抗將高于 1MΩ。當波形經(jīng)過振蕩器的放大器時，可同時進行測量。(3)其他:CL包含探頭電容。應使用帶有小的內部阻抗的電表。使用微型插槽，以觀察波形。（請勿使用該探頭的長接地線）.
振蕩電路:晶體諧振器是無源元件，因此受到電源電壓、環(huán)境溫度、電路的影響。配置、電路常數(shù)和襯底布線模式等操作大致分為正常運行和異常運行。因此，在振蕩電路的設計中，先決條件之一是如何確定進口貼片晶振振蕩電路。晶體諧振器的振動安全穩(wěn)定。只有在做出了這個決定之后，后續(xù)的項目，例如討論了頻率精度、頻率變化、調制度、振蕩起始時間和振蕩波形。
角色的分量與參考值:在2520醫(yī)療電子晶振振蕩電路的設計中，必須認識到個體的作用。組件.在表1中，以例如振蕩電路為例來描述角色。（圖1）使用一個通用的C-MOS IC（74hcuo4ap東芝）。當反饋電阻（rf）未安裝在振蕩電路中時，如圖所示表1，即使在振蕩功率作用下，諧振器也不會啟動振蕩。電路。除非有適當值的電阻器連接，否則振蕩不會啟動。
公司名：深圳市金洛鑫電子有限公司
聯(lián)系人：茹紅青
手機：13510569637
電話：0755-27837162
QQ號：657116624
微信公眾號：CITIZENCRYSTAL
搜狐公眾號：晶振石英晶振NDK晶振
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JLX-PD
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